(PDF) TXY8205A Datasheet - Dual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET

Número de pieza	TXY8205A
Descripción	Dual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET
Fabricantes	TMOS
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No Preview Available ! Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE 器件型号 BVDSS 漏-源极电压 TXY8205A 20V ID 电流 6A RDS(ON) (Typ.) 导通电阻 (典型值) 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V FEATURES 特点 High density cell trench design for low RDS(ON) 高密度沟槽式单元超低导通电阻设计 Rugged and reliable 坚固可靠 Surface mount package 表面黏着包装形式 Lead Free available(Green Product) 无铅或绿色产品 PIN CONFIGURATION 管脚说明及内部电路图 TXY8205A ORDERING INFORMATION 订购信息 Device Package 器件名称封装形式 TXY8205A TSSOP-8 Packing 包装形式 Tape Reel www.tmos.com.tw 1 DS-Rev-1.4 1 page Typical Characteristics 典型特性曲线图 (TJ =25℃ Noted) TXY8205A www.tmos.com.tw 5 DS-Rev-1.4 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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