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1S1835 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 1S1835은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1S1835 자료 제공

부품번호 1S1835 기능
기능 Silicon Diffused Type Rectifier
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


1S1835 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1S1835 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
1S1834,1S1835
1S1834,1S1835
High Speed Rectifier Applications (fast recovery)
Unit: mm
· Average Forward Current: IF (AV) = 1.0 A (Ta = 50°C)
· Repetitive Peak Reverse Voltage: VRRM = 400, 600 V
· Reverse Recovery Time: trr (1) = 1.5 µs
trr (2) = 0.35 µs
· Plastic Mold Type.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Repetitive peak
reverse voltage
1S1834
1S1835
Reverse voltage
(DC)
1S1834
1S1835
Average forward current (Ta = 50°C)
Peak one cycle surge forward current
(non repetitive)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VRRM
VR
IF (AV)
IFSM
Tj
Tstg
Rating
400
600
300
500
1.0
60 (50 Hz)
66 (60 Hz)
-40 to 125
-40 to 125
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
°C
°C
JEDEC
DO-15
JEITA
SC-39
TOSHIBA
3-3B1A
Weight: 0.42 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min Typ. Max Unit
Peak forward voltage
Repetitive peak reverse current
Reverse recovery time
Forward recovery voltage
VFM
IRRM (1)
IRRM (2)
trr (1)
trr (2)
Vfr
IFM = 1.5 A
VRRM = Rated
VRRM = Rated, Tj = 125°C
IF = 20 mA, IR = 1 mA
IF = 20 mA, IR = 20 mA
IF = 0.1 A, tr = 100 ns, tw = 5 ms
¾ ¾ 1.2 V
¾ ¾ 10
mA
¾ ¾ 500
¾ ¾ 1.5
ms
¾ ¾ 0.35
¾¾ 6 V
Note 1: Lead diameter not controlled in this zone to allow for flash, lead finish build-up, and minor irregularities other
than slugs.
Note 2: Soldering: 5 mm is the minimum to be kept between case and soldering part.
Note 3: Lead bending: 5 mm is the minimum to be kept from the case when bend the lead wire.
1 2002-09-18





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