Datasheet.kr   

J412 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 J412은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 J412 자료 제공

부품번호 J412 기능
기능 P-Channel MOSFET ( Transistor ) - 2SJ412
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


J412 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

J412 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ412
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV)
2SJ412
DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
4-V gate drive
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.15 (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.7 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 100 V)
Enhancement mode: Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 k)
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
100
100
±20
16
64
60
292
16
6
150
55 to 150
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage,
etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the
appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor
Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and
estimated failure rate, etc).
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10S1B
Weight: 1.5 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
Max
2.08
83.3
Unit
°C/W
°C/W
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10S2B
Weight: 1.5 g (typ.)
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
Note 2: VDD = 25 V, Tch = 25°C (initial), L = 1.84 mH, RG = 25 , IAR = 16 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.
1
2009-09-29




J412 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RDS (ON) – Tc
0.5
Common source
Pulse test
0.4
ID = 8 A
4
8
0.3
0.2 VGS = 4 V
2, 4
2
0.1
VGS = 10 V
0
80 40
0
40 80 120
Case temperature Tc (°C)
160
Capacitance – VDS
5000
3000
1000
Ciss
500
300 Coss
Common source
100 VGS = 0 V
50 f = 1 MHz
Tc = 25°C
Crss
30
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain-source voltage VDS (V)
2SJ412
IDR – VDS
30
Common source
Tc = 25°C
Pulse test
10
5
VGS = 10 V
3
1.0
0.5
0.3
0
3
2
5
1
0, 1
0.2 0.4 0.6 0.8
Drain-source voltage VDS (V)
1.0
Vth – Tc
4
Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Pulse test
3
2
1
0
80 40 0 40 80 120
Case temperature Tc (°C)
160
PD – Tc
80
60
40
20
0
0 40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
100
80
Dynamic Input/Output Characteristic
Common source
ID = 16 A
Tc = 25°C
Pulse test
20
16
VDS
60
40
20 V
VDD = 80 V
12
40 V
8
20
0
0
VGS
20 40 60 80
Total gate charge Qg (nC)
4
0
100
4 2009-09-29

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ J412.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
J412

P-Channel MOSFET ( Transistor ) - 2SJ412

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵