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QM3016N3 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM3016N3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QM3016N3 자료 제공

부품번호 QM3016N3 기능
기능 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM3016N3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM3016N3 데이터시트, 핀배열, 회로
QM3016N3
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
General Description
The QM3016N3 is the highest performance trench
N-ch MOSFETs with extreme high cell density ,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The QM3016N3 meet the RoHS and Green
Product requirement 100% EAS guaranteed with
full function reliability approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent CdV/dt effect decline
z 100% EAS Guaranteed
z Green Device Available
Absolute Maximum Ratings
Product Summery
BVDSS
30V
RDSON
4m
ID
80A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
DFN3X3 Pin Configuration
D
SS S G
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
EAS
IAS
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Pulsed Drain Current2
Single Pulse Avalanche Energy3
Avalanche Current
Total Power Dissipation4
Total Power Dissipation4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
±20
80
50
17.2
13.8
160
317
53.8
43.4
1.67
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-Ambient 1
Thermal Resistance Junction-Case1
1
Typ.
---
---
Max.
75
2.88
Unit
/W
/W
Rev A.02 D052511




QM3016N3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM3016N3
10000
1000
100
F=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
10
1
5 VDS Dr9ain to So1u3rce Volt1a7ge(V) 21
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
0.3
25
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
1000.00
100.00
10.00
1.00
10us
100us
10ms
100ms
DC
0.10
TC=25
Single Pulse
0.01
0.1
1
VDS (V)
10
Fig.8 Safe Operating Area
100
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
PDM
TON
D = TON/T
T
TJpeak = TC + PDM x RθJC
0.1
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Unclamped Inductive Switching Waveform
4

4페이지












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