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QM3016U 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM3016U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QM3016U 자료 제공

부품번호 QM3016U 기능
기능 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM3016U 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM3016U 데이터시트, 핀배열, 회로
QM3016U
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
General Description
The QM3016U is the highest performance trench
N-ch MOSFETs with extreme high cell density ,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The QM3016U meet the RoHS and Green Product
requirement 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent CdV/dt effect decline
z 100% EAS Guaranteed
z Green Device Available
Product Summery
BVDSS
30V
RDSON
4m
ID
93A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
TO251 Pin Configuration
D
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
EAS
IAS
PD@TC=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Pulsed Drain Current2
Single Pulse Avalanche Energy3
Avalanche Current
Total Power Dissipation4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
GDS
Rating
30
±20
93
59
190
317
53.8
62.5
-55 to 175
-55 to 175
Units
V
V
A
A
A
mJ
A
W
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-Ambient 1
Thermal Resistance Junction-Case1
Typ.
---
---
Max.
62
2.4
Unit
/W
/W
Rev A.01 D101509
1




QM3016U pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM3016U
10000
1000
100
F=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
10
1
5 VDS Dr9ain to So1u3rce Volt1a7ge(V) 21
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
0.3
25
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
1000.00
100.00
10.00
1.00
10us
100us
10ms
100ms
DC
0.10
TC=25
Single Pulse
0.01
0.1
1
VDS (V)
10
Fig.8 Safe Operating Area
100
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
PDM
TON
T
D = TON/T
TJpeak = TC + PDM x RθJC
0.1
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Unclamped Inductive Switching Wave
4

4페이지












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다운로드[ QM3016U.PDF 데이터시트 ]

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