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QM3022D 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM3022D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QM3022D 자료 제공

부품번호 QM3022D 기능
기능 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM3022D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM3022D 데이터시트, 핀배열, 회로
QM3022D
General Description
The QM3022D is the highest performance trench
N-ch MOSFETs with extreme high cell density ,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The QM3022D meet the RoHS and Green Product
requirement , 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent CdV/dt effect decline
z 100% EAS Guaranteed
z Green Device Available
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
Product Summery
BVDSS
30V
RDSON
7m
ID
70A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
TO252 Pin Configuration
D
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
EAS
IAS
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Pulsed Drain Current2
Single Pulse Avalanche Energy3
Avalanche Current
Total Power Dissipation4
Total Power Dissipation4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
S
G
Rating
10s Steady State
30
±20
70
50
23.3 14.8
19.5 12.3
140
252
48
53.6
6 2.4
-55 to 175
-55 to 175
Units
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient (Steady State)1
Thermal Resistance Junction-Ambient 1 (t 10s)
Thermal Resistance Junction-Case1
1
Typ.
---
---
---
Max.
62
25
2.8
Unit
/W
/W
/W
Rev A.01 D031111




QM3022D pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM3022D
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
10000
1000
Ciss
Coss
100 Crss
F=1.0MHz
10
1 4 7 10 13 16 19
VDS , Drain to Source Voltage (V)
22
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
Fig.8 Safe Operating Area
0.2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE
0.001
0.00001
PDM
T ON
T
D = TON/T
TJpeak = TC+PDMXRθJC
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1
10
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Unclamped Inductive Switching Waveform
4

4페이지












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