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부품번호 | JCS650S 기능 |
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기능 | N- CHANNEL MOSFET | ||
제조업체 | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | ||
로고 | |||
R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson(@Vgs=10V)
Qg
28.0A
200 V
0.085Ω
103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管
N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
z低 Crss (典型值 81pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 81pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
JCS650C-O-C-N-B
JCS650F-O-S-N- B
JCS650S-O-S-N- A
JCS650S-O-S-N-B
印记
Marking
JCS650C
JCS650F
JCS650S
JCS650S
封装
无卤素
包装
Package Halogen Free Packaging
TO-220C
TO-220MF
TO-263
TO-263
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
版本:201408C
1/11
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS650
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=100V,ID=28A,RG=25Ω
(note 4,5)
VDS =160V ,
ID=28A
VGS =10V(note 4,5)
- 28 69 ns
- 251 494 ns
- 309 617 ns
- 220 412 ns
- 103 136 nC
- 16 - nC
- 53 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS - - 28 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
- - 112 A
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source VSD
Diode Forward Current
VGS=0V, IS=28A
- 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr VGS=0V, IS=28A
Qrr dIF/dt=100A/μs (note 4)
218 ns
1.91 μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大值
Value
JCS650C/S JCS650F
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.79
2.48 ℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5 ℃/W
注:
Notes:
1:脉冲宽度由最高结温限制
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结温
TJ=25℃
2:L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3:ISD ≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 3:ISD ≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%
5:基本与工作温度无关
5:Essentially independent of operating temperature
版本:201503B
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4페이지 R JCS650
版本:201503B
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