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JCS650S 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS650S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JCS650S 자료 제공

부품번호 JCS650S 기능
기능 N- CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS650S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS650S 데이터시트, 핀배열, 회로
R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson(@Vgs=10V)
Qg
28.0A
200 V
0.085Ω
103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管
N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 81pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 81pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
JCS650C-O-C-N-B
JCS650F-O-S-N- B
JCS650S-O-S-N- A
JCS650S-O-S-N-B
印记
Marking
JCS650C
JCS650F
JCS650S
JCS650S
封装
无卤素
包装
Package Halogen Free Packaging
TO-220C
TO-220MF
TO-263
TO-263
NO
NO
NO
NO
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
版本:201408C
1/11




JCS650S pdf, 반도체, 판매, 대치품
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS650
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=100V,ID=28A,RG=25
note 45
VDS =160V ,
ID=28A
VGS =10Vnote 45
- 28 69 ns
- 251 494 ns
- 309 617 ns
- 220 412 ns
- 103 136 nC
- 16 - nC
- 53 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS - - 28 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
- - 112 A
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source VSD
Diode Forward Current
VGS=0V, IS=28A
- 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr VGS=0V, IS=28A
Qrr dIF/dt=100A/μs (note 4)
218 ns
1.91 μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大值
Value
JCS650C/S JCS650F
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.79
2.48 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5 /W
注:
Notes:
1:脉冲宽度由最高结温限制
1Pulse width limited by maximum junction temperature
2L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 ,起始结温
TJ=25
2L=1.1mH, IAS=28A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3ISD 28A,di/dt 200A/μs, VDDBVDSS,起始结温 TJ=253ISD 28A,di/dt 200A/μs, VDDBVDSS, Starting TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
4Pulse TestPulse Width 300μs, Duty Cycle2
5:基本与工作温度无关
5Essentially independent of operating temperature
版本:201503B
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JCS650S 전자부품, 판매, 대치품
R JCS650
版本:201503B
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