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QM2607C1 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM2607C1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QM2607C1 자료 제공

부품번호 QM2607C1 기능
기능 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM2607C1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM2607C1 데이터시트, 핀배열, 회로
QM2607C1
N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs
General Description
The QM2607C1 is the highest performance trench
N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell
density , which provide excellent RDSON and gate
charge for most of the small power switching and
load switch applications.
The QM2607C1 meet the RoHS and Green
Product requirement with full function reliability
approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent Cdv/dt effect decline
z Green Device Available
Product Summery
BVDSS
20V
-20V
RDSON
115m
255m
ID
1.3 A
-0.94 A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous s
Small power switching for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
SOT363 (SC-70-6L ) Pin Configuration
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
TSTG
TJ
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V1
Pulsed Drain Current2
Total Power Dissipation3
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient 1
Thermal Resistance Junction-Case1
1
Rating
N-Channel P-Channel
20 -20
±8 ±8
1.3 -0.94
1 -0.75
6.5 -4.7
0.33 0.33
-55 to 150 -55 to 150
-55 to 150 -55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Typ.
---
---
Max.
375
240
Unit
/W
/W
Rev A.02 D081011




QM2607C1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM2607C1
N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs
1000
F=1.0MHz
Ciss
100
Coss
Crss
10
1 5 9 13 17
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
21
Fig.8 Safe Operating Area
0.001 SINGLE PULSE
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t , Pulse Width (s)
PDM
TON
T
D = TON/T
TJpeak = TA + PDM x RθJA
10 100
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Gate Charge Waveform
4

4페이지










QM2607C1 전자부품, 판매, 대치품
QM2607C1
N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs
1000
F=1.0MHz
Ciss
100
Coss
Crss
10
1 5 9 13 17
-VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
21
Fig.8 Safe Operating Area
0.001 SINGLE PULSE
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t , Pulse Width (s)
PDM
TON
T
D = TON/T
TJpeak = TA + PDM x RθJA
10 100
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Gate Charge Waveform
7

7페이지


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