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QM2411SN8 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM2411SN8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QM2411SN8 자료 제공

부품번호 QM2411SN8 기능
기능 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM2411SN8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM2411SN8 데이터시트, 핀배열, 회로
QM2411SN8
P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs
General Description
The QM2411SN8 is the highest performance
trench P-ch MOSFETs with extreme high cell
density , which provide excellent RDSON and gate
charge for most of the small power switching and
load switch applications.
The QM2411SN8 meet the RoHS and Green
Product requirement with full function reliability
approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent Cdv/dt effect decline
z Green Device Available
Product Summery
BVDSS
-20V
RDSON
80m
ID
-3.2A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Small power switching for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
DFN 3X2 Pin Configuration
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1
Pulsed Drain Current2
Total Power Dissipation3
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient 1
Thermal Resistance Junction-Case1
Rating
-20
±8
-3.2
-2.6
-13
1.1
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Typ.
---
---
Max.
110
70
Unit
/W
/W
Rev A.02 D052611
1




QM2411SN8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM2411SN8
1000
Ciss
100 Coss
Crss
F=1.0MHz
10
1 5 9 13 17
-VDS , Drain to Source Voltage (V)
21
P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs
100.00
10.00
1.00
0.10
TA=25oC
Single Pulse
0.01
0.01
0.1
-VDS1 (V)
100us
1ms
10ms
100ms
DC
10 100
Fig.7 Capacitance
1
DUTY=0.5
Fig.8 Safe Operating Area
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
SINGLE
0.001
0.0001
PDM
T ON
T
D = TON/T
TJpeak = TA+PDMXRθJA
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
10
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
100
1000
1 1.E-03
0.8
0.6
TJ=125
TJ=25
0.4
0.2
1.E-04
1.E-05
1.E-06
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
VF , Forward Voltage (V)
Fig.10 Schottky Forward Characteristics
1.E-07
0
25 50 75 100 125
TJ ,Junction Temperature()
150
Fig.11 Schottky Leakage Current vs. TJ
4

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