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QM3005N3 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM3005N3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 QM3005N3 자료 제공

부품번호 QM3005N3 기능
기능 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM3005N3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM3005N3 데이터시트, 핀배열, 회로
QM3005N3
General Description
The QM3005N3 is the highest performance trench
P-ch MOSFETs with extreme high cell density ,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The QM3005N3 meet the RoHS and Green
Product requirement 100% EAS guaranteed with
full function reliability approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent CdV/dt effect decline
z 100% EAS Guaranteed
z Green Device Available
Absolute Maximum Ratings
P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
Product Summery
BVDSS
-30V
RDSON
14m
ID
-42A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
DFN3X3 Pin Configuration
D
SS SG
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
EAS
IAS
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1
Continuous Drain Current, VGS @ -10V1
Pulsed Drain Current2
Single Pulse Avalanche Energy3
Avalanche Current
Total Power Dissipation4
Total Power Dissipation4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
10s Steady State
-30
±25
-42
-27
-14.3
-9
-11.4
-7.2
-130
273
-50
37
4.2 1.67
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-Ambient 1
Thermal Resistance Junction-Ambient 1 (t 10s)
Thermal Resistance Junction-Case1
1
Typ.
---
---
---
Max.
75
30
3.36
Unit
/W
/W
/W
Rev A.01 D012511




QM3005N3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QM3005N3
10000
1000
100
F=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
10
1 5 9 13 17 21 25
-VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.7 Capacitance
1
P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
1000.00
100.00
10.00
1.00
0.10
TC=25
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
-VDS (V)
Fig.8 Safe Operating Area
10us
100us
1ms
10ms
100ms
DC
100
DUTY=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 SINGLE PULSE
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
PDM
TON
T
D = TON/T
TJpeak = TC + PDM x RθJC
0.1 1
10
Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Fig.10 Switching Time Waveform
Fig.11 Unclamped Inductive Switching Waveform
4

4페이지












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