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IXCP01N90E 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXCP01N90E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXCP01N90E 자료 제공

부품번호 IXCP01N90E 기능
기능 Gate Controlled Current Limiter
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXCP01N90E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXCP01N90E 데이터시트, 핀배열, 회로
Gate Controlled
Current Limiter
IXCY01N90E
IXCP01N90E
VDSS =
I =D(limit)
RDS(on)
900V
250mA
80Ω
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
VGSM
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
Tsold
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-220)
TO-220
TO-252
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)
BVDSS
VGS = 0V, ID = 25μA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 25μA
IGSS VGS = ± 20V, VDS = 0V
IDSS VDS = VDSS, VGS = 0V
RDS(on)
VGS = 10V, ID = 50mA, Note 1
IDP Plateau Current, VGS = 10V, VDS = 10V
D
G
S
Maximum Ratings
900
900
V
V
± 20 V
± 30 V
40 W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
300
260
1.13 / 10
°C
°C
Nm/lb.in.
3.00 g
0.35 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
900 V
2.5 5.0 V
±50 nA
10 μA
80 Ω
125 175 mA
TO-252 AA (IXCY)
G
S
D (Tab)
TO-220 (IXCP)
GD S
D (Tab)
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
• High Output Resistance in
Saturated Mode of Operation
• Rugged HDMOSTM Process
• Stable Peak Drain Current Limit
• High Voltage Current Regulator
• International Standard Packages
Applications
• Current Regulation
• Over Current and Over Voltage
Protection for Sensitive Loads
• Linear Regulator
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS98701D(03/10)




IXCP01N90E pdf, 반도체, 판매, 대치품
1,000
700
400
Fig. 7. Dynamic Output Resistance vs.
Drain Current
TJ = 25ºC
VDS = 20V
200
100
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I D - MilliAmperes
Fig. 9. Transconductance
35
TJ = - 40ºC
30
25ºC
25
125ºC
20
15
10
5
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
ID - MiilAmperes
IXCY01N90E
IXCP01N90E
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
300
250
200
150
100
50
0
0.4
Fig. 8. Input Admittance
TJ = 125ºC
25ºC
- 40ºC
3456789
VGS - Volts
Fig. 10. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
TJ = 125ºC
TJ = 25ºC
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VSD - Volts
10
9 VDS = 450V
I D = 50mA
8 I G = 1mA
7
6
Fig. 11. Gate Charge
1,000
f = 1 MHz
100
Fig. 12. Capacitance
Ciss
5 Coss
4
3 10
2
Crss
1
0
0123456
QG - NanoCoulombs
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
1
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VDS - Volts
IXYS REF: C_01N90E(1L)8-12-09

4페이지












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