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IXTH12N120 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXTH12N120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXTH12N120 자료 제공

부품번호 IXTH12N120 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXTH12N120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXTH12N120 데이터시트, 핀배열, 회로
Power MOSFET, Avalanche Rated
High Voltage
Preliminary Data Sheet
IXTH 12N120
VDSS = 1200 V
ID (cont) = 12 A
RDS(on)=
1.4
Symbol Test Conditions
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
IDM
IAR
EEAARS
PD
TJ
TJM
Tstg
Md
Weight
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TTCC
= 25°C
= 25°C
TC = 25°C
Mounting torque
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±30 V
±40 V
12 A
48 A
12 A
30 mJ
1.0 J
500 W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
300 °C
TO-247 AD
D (TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Features
z International standard package
JEDEC TO-247 AD
z Low RDS (on) HDMOSTM process
z Rugged polysilicon gate cell structure
z Fast switching times
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
Test Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 1 mA
VDS = VGS, ID = 250 µA
1200
3
VGS = ±30 VDC, VDS = 0
VVGDSS
=
=
0VDVSS
TTJJ
=
=
25°C
125°C
PVGuSlse=
10 V,
test, t
ID
3=000.5µ•s,IDd25uty
cycle
d
2
%
V
5V
±100 nA
25 µA
3 mA
1.4
Applications
z Switch-mode and resonant-mode
power supplies
z Motor controls
z Uninterruptible Power Supplies (UPS)
z DC choppers
Advantages
z Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
z Space savings
z High power density
© 2004 IXYS All rights reserved
DS98937E(04/04)




IXTH12N120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4.5
36
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.4
Fig. 7. Input Adm ittance
TJ = 125ºC
25ºC
-40ºC
5 5.5 6 6.5 7
VG S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source -To-Drain Voltage
7.5
TJ = 125ºC
TJ = 25ºC
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VS D - Volts
1
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
Ciss
Coss
100
Crss
IXTH 12N120
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Fig. 8. Trans conductance
TJ = -40ºC
25ºC
125ºC
2 4 6 8 10 12 14 16 18
I D - Amperes
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Fig. 10. Gate Charge
VDS = 600V
ID = 6A
IG = 10mA
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Trans ient Therm al
Re s is tance
1.00
0.10
10
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VD S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
0.01
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000

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