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FGH20N60SFDTU_F085 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGH20N60SFDTU_F085은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FGH20N60SFDTU_F085 자료 제공

부품번호 FGH20N60SFDTU_F085 기능
기능 20A Field Stop IGBT
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FGH20N60SFDTU_F085 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FGH20N60SFDTU_F085 데이터시트, 핀배열, 회로
FGH20N60SFDTU_F085
600 V, 20 A Field Stop IGBT
Features
• High Current Capability
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20A
• High Input Impedance
• Fast Switching
• RoHS Compliant
• Qualified to Automotive Requirements of AEC-Q101
Applications
• Automotive chargers, Converters, High Voltage Auxiliaries
• Inverters, PFC, UPS
April 2015
General Description
Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series
of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Automo-
tive Chargers, Inverter, and other applications where low con-
duction and switching losses are essential.
E
C
G
COLLECTOR
(FLANGE)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VCES
VGES
IC
ICM (1)
PD
TJ
Tstg
TL
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Transient Gate-to-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
RJC(IGBT)
RJC(Diode)
RJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
©2015 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60SFDTU_F085 Rev. 1.0
1
C
G
E
Ratings
600
20
30
40
20
60
165
66
-55 to +150
-55 to +150
300
Unit
V
V
A
A
A
W
W
oC
oC
oC
Typ.
0.76
2.51
40
Unit
oC/W
oC/W
oC/W
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FGH20N60SFDTU_F085 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 4. Transfer Characteristics
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE
©2015 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60SFDTU_F085 Rev. 1.0
4
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FGH20N60SFDTU_F085 전자부품, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristics
Figure 20. Reverse Current
Figure 21. Stored Charge
Figure 22. Reverse Recovery Time
Figure 23.Transient Thermal Impedance of IGBT
PDM
t1
t2
©2015 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60SFDTU_F085 Rev. 1.0
7
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