|
|
|
부품번호 | WPM2009D 기능 |
|
|
기능 | P-MOSFET | ||
제조업체 | WillSEMI | ||
로고 | |||
WPM2009D
-20V, -4A, 42m, 2.0W, DFN3x3, P-MOSFET
Descriptions
This single P-Channel MOSFET is produced
using trench process that provides minimum on
resistance performance. WPM2009D is
enhancement power MOSFET with 2.0W power
dissipation mounting 1 in2 pad in a DFN3x3
package. This device is suited for high power
charging circuit of mobile phone application. It
also can be used in a high power switching
application.
WPM2009D
Http://www.willsemi.com
Bottom
DFN3x3-8L
Bottom
Features
z Max Rds(on) 42m @ Vgs=-4.5V
z Max Vds
-20V
z Max Current
-4.0A
z Typical Vgs(th) -0.65V @ Id=-250uA
z Power Dissipation 2.0W (Note2)
z High performance Trench process
z DFN3x3-8L Package
z Pb-Free
Applications
z Battery charging
z Load Switch
z Power Switch
z DC-DC converter
Pin Connection
Top
WPM2009 = Part Number
YY = Year
WW = Week
Marking
Order Information
Device
Package
Shipping
WPM2009D-8/TR DFN3x3-8L 3000/Tape&Reel
Will Semiconductor Ltd.
1
Jan,2012 - Rev. 1.4
Typical Performance Graph
(TA = 25 OC, unless otherwise noted)
20
VGS =-5 thru -2.5 V
16 -2 V
12
8
4
0
0
0.10
-1.5 V
1234
-VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
-1 V
5
0.08
0.06
VGS =-2.5 V
0.04
0.02
VGS =-4.5 V
0.00
0 4 8 12 16 20
-ID - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.5
1.4 VGS =-4.5 V
ID =-4.0 A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Will Semiconductor Ltd.
WPM2009D
20
TC = - 55 °C
16
25 °C
125 °C
12
8
4
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
-VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.15
2.5
0.12
0.09
0.06
ID = - 3 A
ID =-4.0 A
0.03
0.00
012345
-VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.3
ID = -250μA
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Temperature (°C)
Threshold Voltage
4 Jan,2012 - Rev. 1.4
4페이지 PCB Layout Guide
WPM2009D
Recommend Minimum Pad Guide
Unit: mm
Will Semiconductor Ltd.
7
Jan,2012 - Rev. 1.4
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
다운로드 | [ WPM2009D.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WPM2009D | P-MOSFET | WillSEMI |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |