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WPM2019 데이터시트 PDF




WillSEMI에서 제조한 전자 부품 WPM2019은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WPM2019 자료 제공

부품번호 WPM2019 기능
기능 Single P-Channel Power MOSFET
제조업체 WillSEMI
로고 WillSEMI 로고


WPM2019 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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WPM2019 데이터시트, 핀배열, 회로
WPM2019
Single P-Channel, -20V, -0.73A, Power MOSFET
VDS (V)
-20
Rds(on) (ȍ)
0.480@ VGS=̢4.5V
0.620@ VGS=̢2.5V
0.780@ VGS=̢1.8V
WPM2019
Http://www.sh-willsemi.com
D
S
G
Descriptions
SOT-523
The WPM2019 is P-Channel enhancement MOS
Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS (ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product WPM2019 is Pb-free and
Halogen-free.
Features
z Trench Technology
z Supper high density cell design
z Excellent ON resistance for higher DC current
z Extremely Low Threshold Voltage
z Small package SOT-523
Applications
z Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.
z DC-DC converter circuit
z Power Switch
z Load Switch
z Charging
D
3
12
GS
Pin configuration (Top view)
3
P9*
12
P9 =Device Code
* = Month(A~Z)
Marking
Order information
Device
Package
Shipping
WPM2019-3/TR SOT-523 3000/Reel&Tape
Will Semiconductor Ltd.
1
2015/08/25 – Rev. 1.4




WPM2019 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
2.0 1500
V = -2.5 ~ -5V
GS
V = -2.0V
GS
V = -5V
DS
1200
1.5
900
1.0
V = -1.5V
GS
600
WPM2019
T=-500C
T=250C
0.5
300 T=1250C
0.0
012345
-V _Drain to Source Voltage (V)
DS
Output characteristics
0
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8
-V - Gate to Drain Voltage (V)
GS
Transfer characteristics
1000
800
600
400
V =-2.5V
GS
V =-4.5V
GS
1400
1200
1000
800
600
400
I =-0.45A
DS
200
0.2
0.4 0.6 0.8
I -Drain to Source Current (A)
DS
On-Resistance vs. Drain current
1.0
200
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-V -Gate to Source Voltage(V)
GS
4.5
On-Resistance vs. Gate-to-Source voltage
700
V =-4.5V I =-0.45A
GS DS
600
500
400
300
-50
0 50 100
Temperature (0C)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
0.6
I = -250uA
DS
0.5
0.4
0.3
-25 0
25 50 75 100 125 150
Temperature (0C)
Threshold voltage vs. Temperature
Will Semiconductor Ltd.
4
2015/08/25 – Rev. 1.4

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