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LQA10N200C 데이터시트 PDF




Power Integrations에서 제조한 전자 부품 LQA10N200C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 LQA10N200C 자료 제공

부품번호 LQA10N200C 기능
기능 200V 10A Common-Cathode Diode
제조업체 Power Integrations
로고 Power Integrations 로고


LQA10N200C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LQA10N200C 데이터시트, 핀배열, 회로
LQA10T200C, LQA10N200C
QspeedFamily
200 V, 10 A Common-Cathode Diode
Product Summary
IF(AVG) per diode
VRRM
QRR (Typ at 125 °C)
IRRM (Typ at 125 °C)
Softness tb/ta (Typ at 125 °C)
10
200
32.4
2.6
0.39
A
V
nC
A
General Description
This device has the lowest QRR of any 200 V
Silicon diode. Its recovery characteristics
increase efficiency, reduce EMI and eliminate
snubbers.
Applications
Pin Assignment
AC/DC and DC/DC output rectification
Output and freewheeling diodes
Motor drive circuits
DC-AC inverters
Features
TO-220AB
LQA10T200C A1
A2
TO-252 DPAK
LQA10N200C
K
RoHS Compliant
Package uses Lead-free plating and Greenmold
compound Halogen free per IEC 61249-2-21.
Low QRR, Low IRRM, Low tRR
High dIF/dt capable (1000A/s)
Soft recovery
Benefits
Increases efficiency
Eliminates need for snubber circuits
Reduces EMI filter component size and count
Enables extremely fast switching
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings are the values beyond which the device may be damaged or have its useful life impaired. Functional
operation under these conditions is not implied.
Symbol
VRRM
IF(AVG)
Parameter
Peak repetitive reverse voltage
Average forward current
IFSM
IFSM
TJ
TSTG
PD
Non-repetitive peak surge current
Non-repetitive peak surge current
Operating junction temperature range
Storage temperature
Lead soldering temperature
Power dissipation
Conditions
TJ = 25 °C
Per Diode, TJ = 150 °C, TC = 130 °C
Per Device, TJ = 150 °C, TC = 130 °C
Per Diode, 60 Hz, ½ cycle
Per Diode, ½ cycle of t = 28 s
Sinusoid, TC = 25 °C
Leads at 1.6mm from case, 10 sec
TC = 25 °C
Rating
200
5
10
60
Units
V
A
A
A
350 A
55 to 150
55 to 150
300
27.7
°C
°C
°C
W
Thermal Resistance
Symbol
RJA
RJC
Resistance from:
Junction to ambient
Junction to case
Conditions
TO-220AB (only)
Per Diode
Per Device
Rating
62
4.5
2.3
Units
°C/W
°C/W
°C/W
www.powerint.com
April 2013




LQA10N200C pdf, 반도체, 판매, 대치품
LQA10T200C, LQA10N200C
30
25
20
15
10
5
0
25
50 75 100
Case Temperature, TC (oC)
125
150
20
18 duty cycle=10%
16 duty cycle=30%
14 duty cycle=50%
12 DC
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
TC(°C)
1
D= 0.5
D = 0.3
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
0.01
D= 0.01
D=0.005
D=0.002
Single Pulse
0.001
1.E-06
1.E-05
LQA10x200C
1.E-04
1.E-03
t1(sec)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
www.powerint.com
4
Rev. 1.0 04/13

4페이지










LQA10N200C 전자부품, 판매, 대치품
Revision Notes
1.0 Initial Release
LQA10T200C, LQA10N200C
Date
04/13
7
Rev. 1.0 04/13
www.powerint.com

7페이지


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