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NTP4804N 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 NTP4804N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NTP4804N 자료 제공

부품번호 NTP4804N 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


NTP4804N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTP4804N 데이터시트, 핀배열, 회로
NTP4804N
Power MOSFET
30 V, 133 A, Single NChannel, TO220
Features
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low Capacitance to Minimize Driver Losses
Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
These are PbFree Devices*
Applications
AC–DC Converters
DCDC Converters
Low Side Switching
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol Value
Unit
DraintoSource Voltage
GatetoSource Voltage
Continuous Drain
(CNuortreen1t)RqJA
Power Dissipation
RqJA (Note 1)
Continuous Drain
Current RqJC
Steady
State
Power Dissipation
RqJC
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 25°C
TC = 25°C
TC = 85°C
TC = 25°C
VDSS
VGS
ID
PD
ID
PD
30 V
±20 V
21 A
13
3.0 W
133 A
85
120 W
Pulsed Drain
Current
Current Limited by
Package
TA = 25°C,
tp = 10 ms
TA = 25°C
IDM
IDmaxPkg
350
45
A
A
Operating Junction and Storage
Temperature
TJ, TSTG 55 to
+175
°C
Source Current (Body Diode)
Drain to Source DV/DT
IS
dV/dt
78 A
6 V/ns
Single Pulse DraintoSource Avalanche
Energy TJ = 25°C, VDD = 24 V, VGS = 10 V,
IL(pk) = 56 A, L = 0.3 mH, RG = 25 W
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
EAS
TL
474 mJ
260 °C
*For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
V(BR)DSS
30 V
RDS(on) MAX
4.0 mW @ 10 V
5.5 mW @ 4.5 V
ID MAX
133 A
NChannel
D
G
4
S
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
4
Drain
12
3
TO220AB
CASE 221A
STYLE 5
NTP4804NG
AYWW
1
Gate
2
Drain
3
Source
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = PbFree Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 3 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
March, 2009 Rev. 0
1
Publication Order Number:
NTP4804N/D




NTP4804N pdf, 반도체, 판매, 대치품
NTP4804N
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
225 10 V
200
VGS = 7, 6, 5.8, 5.5, 5.2, 5 V
4.5 V
175
150
125 4.0 V
100 TJ = 25°C
75
50 3.5 V
25
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. OnRegion Characteristics
240
VDS 10 V
200
160
120
80
TJ = 125°C
40 TJ = 25°C
0 TJ = 55°C
01 23 456
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
7
0.0050
0.0048
0.0046
ID = 30 A
TJ = 25°C
0.010
0.009
0.008
TJ = 25°C
0.0044
0.0042
0.007
0.006
VGS = 4.5 V
0.0040
0.005
0.0038
0.0036
0.004
0.003
VGS = 10 V
0.0034
0.002
0.0032
0.001
0.0030
0
4 5 6 7 8 9 10 15 35 55 75 95 115 135 155 175 195 215 235 255
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current
ID, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6 ID = 30 A
1.5 VGS = 10 V
1.4
1.3
1.2
100,000
VGS = 0 V
10,000
1000
TJ = 150°C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
50 25 0 25 50 75 100 125 150 175
100
10
2
TJ = 100°C
6 10 14 18 22 26 30
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
4

4페이지












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