Datasheet.kr   

ILA8357 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 ILA8357
기능 Vertical deflection amplifier
제조업체 Integral
로고 Integral 로고 


전체 12 페이지

		

No Preview Available !

ILA8357 데이터시트, 핀배열, 회로
ILA8357
УСИЛИТЕЛЬ КАДРОВОЙ РАЗВЕРТКИ
( Функциональный аналог TDA8357J ф.Philips )
Микросхема ILA8357 - интегральная мощная схема, предназначенная для ис-
пользования в 90° и 110° отклоняющих системах цветных телевизоров. Она включает в
себя кадровый отклоняющий мостовой выход, работающий, как высокоэффективный
усилитель G класса. Микросхема ILA8357 может управляться частотой полей от 25 до
200 Гц. Вертикальные отклоняющие катушки 4 : 3 и 16: 9 кинескопов могут быть под-
ключены к микросхеме ILA8357. Благодаря мостовой конфигурации DC отклоняющего
выхода, применение микросхем может быть разработано с положительным напряжени-
ем питания 12 В и положительным обратным ходом питания 45 В (в зависимости от
конфигурации отклоняющей катушки).
Микросхема ILA8357 изготавливается по BCDMOS технологии. В микросхеме
используются биполярные и CMOS структуры, а также выходные DMOS – транзисторы.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- малое количество внешних навесных элементов;
- высокоэффективный, полный DC сдвоенный вертикальный мостовой выход
схемы;
- короткое время нарастания и спада обратного хода;
- защита кинескопа от прожога (система охраны);
- температурная защита схемы;
- дифференциальный режим входов;
- улучшенные характеристики ЭМС благодаря дифференциальным входам.
Микросхема выполнена в 9 - выводном пластмассовом DIL-SIL мощном корпусе
1509.9-А.
Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В.
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1
1




ILA8357 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ILA8357
Таблица 2 – Предельные электрические режимы
Буквенное Наименование параметров режима
Норма
Единица
обозна-
не менее не более измере-
чение
ния
VP
VFB 1)
IO(p-p)
IO(peak)
Напряжение питания
Напряжение питания обратного хода
Выходной ток
Максимальный (пиковый) выходной ток
в режиме обратного хода
-
-
-
-
18,1
68
2,0
±1,21
В
В
А
А
(tFB < 1,5 мс; время обратного хода)
VI(p-p) 2) Входное напряжение
VO(qrd)(max) Допустимое напряжение схемы защи-
ты (максимальный ток утечки
-
-
1501
18,1
мВ
В
II(max) = 10 мкА)
Ilu Ток защелкивания
-
-200 4)
200 3)
-
мА
Tstg Температура хранения
-60 150
°C
TJ Температура кристалла
- 150 °C
________
1) Для ограничения напряжения VFB на выводе 07 до 68 В, должно быть 66 В
из-за падения напряжения на внутреннем диоде между выводами 07 и 06 в пер-
вой части обратного хода.
2) Допустимый диапазон входных напряжений (VI(bias) + Vdif) < 1600 мВ.
3) Максимальное напряжение на выводе не более 1,5VP. Определено для
Tj(max).
4) Максимальное напряжение на выводе не более минус 1,5VP. Определено
для Tj(max)
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1
4

4페이지










ILA8357 전자부품, 판매, 대치품
ILA8357
Продолжение таблицы 4
Буквен- Наименование параметра Режим измерения
Норма
Единица
ное измере-
обозна-
не менее не более ния
чение
Voffset
Напряжение смещения
на входе усилителя с
обратной связью
VP = 12 В; VFB = 45 В;
Vdif = 0 В; VI(bias) = 0,2 В;
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
-15
-25
15 мВ
25
ΔVoffset(T) Изменение напряжения
смещения от темпера-
туры
VI(bias) = 1,0 В;
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В; VFB = 45 В;
Vdif = 0 В;
VI(bias) = 0,2; 1,0 В;
-25
-40
-
25
40
40 мкВ/K
TA = -25; 25; 85 °C
IO(grd)l Выходной ток схемы
VP = 12 В; VFB = 45 В;
-1,0
-2,5 мА
защиты в активном со-
VI(bias)1 = 1,6 В;
стоянии (схема защиты
VI(bias)2 = 0,1 В;
включена)
V08 = 4,5 В; TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В;
0 -4,0
TA = -25; 85 °C
VO(grd)l Выходное напряжение VP = 12 В; VFB = 45 В;
5,0
7,0
В
на выводе 08 (активное
VI(bias)1 = 1,6 В;
состояние)
VI(bias)2 = 0,1 В;
IO8 = 100 мкА; TA = 25 °C
VP = 7,5; 12; 18 В;
3,0
9,0
IO(grd)h Выходной ток схемы
защиты в неактивном
TA = -25; 85 °C
VP = 12 В; VFB = 45 В;
VO8 = 0 В; TA = 25 °C
-
-10 мкА
Vloss(1)
состоянии (схема защи- VP = 7,5; 12; 18 В;
ты выключена)
TA = -25; 85 °C
Остаточное напряжение VP = 12 В; VFB = 45 В;
первой части сканиро-
VI(bias)1 = 1,6 В;
вания
VI(bias)2 = 0,1 В; IO = 0,7 А
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
IO = 1,0 А
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
-
-
-
-80
3,9 В
4,5
5,5
6,0
Vloss(2)
Остаточное напряжение
VI(bias)1 = 1,6 В;
второй части сканиро- VI(bias)2 = 0,1 В;IO = -0,7 А
вания
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
-
2,8 В
2,9
IO = -1,0 А
TA = 25 °C
TA = -25; 85 °C
4,0
- 4,2
7
ILA8357-Tr, M, Normal.dot, 225792, 2009-07-06, 10:50:43, V 1.1

7페이지



구       성총 12 페이지
다운로드[ ILA8357.PDF 데이터시트 ]
구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

전력 반도체 판매 ( IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드 모듈 )

휴대전화 : 010-3582-2743


상호 : 아이지 인터내셔날

전화번호 : 051-319-2877, [ 홈페이지 ]



링크공유

링크 :

관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
ILA8351

Vertical Deflection and Guard Amplifier

IK Semiconductor
IK Semiconductor
ILA8356

Vertical Deflection and Guard Amplifier

IK Semiconductor
IK Semiconductor

DataSheet.kr    |   2019   |  연락처   |  링크모음   |   검색  |   사이트맵