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AOD468 데이터시트 PDF




Alpha & Omega Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AOD468은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AOD468 자료 제공

부품번호 AOD468 기능
기능 11.5A N-Channel MOSFET
제조업체 Alpha & Omega Semiconductors
로고 Alpha & Omega Semiconductors 로고


AOD468 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AOD468 데이터시트, 핀배열, 회로
AOD468/AOI468
300V,11.5A N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AOD468 & AOI468 have been fabricated using an
advanced high voltage MOSFET process that is designed
to deliver high levels of performance and robustness in
popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss
and Crss along with guaranteed avalanche capability these
parts can be adopted quickly into new and existing offline
power supply designs.These parts are ideal for boost
converters and synchronous rectifiers for consumer,
telecom, industrial power supplies and LED backlighting.
VDS
ID (at VGS=10V)
RDS(ON) (at VGS=10V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
350V@150
11.5A
<0.42
Top View
TO252
DPAK
Bottom View
D
D
Top View
TO251A
IPAK
Bottom View
S
G
G
S
S
D
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain
TC=25°C
CurrentB
TC=100°C
Pulsed Drain Current C
Avalanche Current C
Repetitive avalanche energy C
Single pulsed avalanche energy H
ID
IDM
IAR
EAR
EAS
Peak diode recovery dv/dt
dv/dt
TC=25°C
Power Dissipation B Derate above 25oC
PD
Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8" from case for 5 seconds
TJ, TSTG
TL
G
D
S
Maximum
300
±30
11.5
8.3
29
3.8
216
430
5
150
1
-50 to 175
300
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A,G
Maximum Case-to-sink A
Maximum Junction-to-CaseD,F
Symbol
RθJA
RθCS
RθJC
Typical
45
-
0.7
Maximum
55
0.5
1
D
G
S
Units
V
V
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/ oC
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0: Dec 2010
www.aosmd.com
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AOD468 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AOD468/AOI468
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15 10000
12
VDS=240V
ID=12A
1000
9
100
6
10
3
Ciss
Coss
Crss
0
0 4 8 12 16 20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100
10 RDS(ON)
limited
10µs
100µs
1 1ms
10ms
0.1 DC
0.01
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
1
10
100 1000
VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
1
0.1
1 10
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100
800
600 TJ(Max)=175°C
TC=25°C
400
200
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
10
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
1 RθJC=1°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
0.01
0.001
0.000001
Single Pulse
PD
Ton
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
1
10
Rev0: Dec 2010
www.aosmd.com
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