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FDU6030BL 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDU6030BL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDU6030BL 자료 제공

부품번호 FDU6030BL 기능
기능 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDU6030BL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDU6030BL 데이터시트, 핀배열, 회로
July 2001
FDD6030BL/FDU6030BL
30V N-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low RDS( ON) , fast switching speed and
extremely low RDS(ON) in a small package.
Applications
DC/DC converter
Motor drives
Features
42 A, 30 V
RDS(ON) = 16 m@ VGS = 10 V
RDS(ON) = 22 m@ VGS = 4.5 V
Low gate charge (22 nC typical)
Fast switching
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
D
G
S
DTO-P-2A5K2
(TO-252)
GDS
I-PAK
(TO-251AA)
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
V GSS
ID
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @TC=25°C
(Note 3)
@TA=25°C
(Note 1a)
Pulsed
(Note 1a)
Power Dissipation
@TC=25°C
(Note 3)
@TA=25°C
(Note 1a)
@TA=25°C
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Ratings
30
±20
42
10
100
50
3.8
1.6
–55 to +175
Thermal Characteristics
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Package
FDD6030BL
FDD6030BL
D-PAK (TO-252)
FDU6030BL
FDU6030BL
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13’’
Tube
3.0
45
96
Tape width
12mm
N/A
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
°C/W
Quantity
2500 units
75
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6030BL/FDU6030BL Rev C(W)




FDU6030BL pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
80
VGS = 10V
6.0V 5.0V
60
4.5V
40
4.0V
3.5V
20 3.0V
0
0 1234 5
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2
1.8
ID = 10A
VGS = 10V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
60
VDS = 5V
50
T A =-55oC
25oC
125oC
40
30
20
10
0
1 234 5
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
2.2
VGS = 3.5V
2
1.8
4.0V
1.6 4.5V
5.0V
1.4
6.0V
1.2
10V
1
0.8
0
20 40 60
ID, DRAIN CURRENT (A)
80
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
ID = 5A
0.04
0.03
TA = 125oC
0.02
0.01
TA = 25 oC
0
2 4 6 8 10
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
10
1
0.1
0.01
VGS = 0V
T A= 125oC
25oC
-55oC
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD6030BL/FDU6030BL Rev. C(W)

4페이지












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