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B20N03 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 B20N03
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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B20N03 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
20mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
2013/8/17 
 
 
EMB20N03V
LIMITS 
±20 
12 
9 
48 
8 
3.2 
1.6 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 




B20N03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
 
  30
OnRegion Characteristics
VG S = 10V 6V
  25 7V 5V
 
20
 
4.5V
  15
  10
 5
 
0
  01 2
34
VD S  ‐ Drain Source Voltage(V)
5
  1.9 OnResistance Variation with Temperature
  I D  = 8A
  VG S  = 10V
1.6
 
1.3
 
  1.0
  0.7
 
0.4
  50 25
0 25
50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
30
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
  25
  20
T A  = ‐55° C
25° C
  15
  10
125° C
 
5
 
0
  1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
 
2013/8/17 
  EMB20N03V
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D  ‐ Drain Current(A)
24 30
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.09
0.08 I D  = 6 A
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation 
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10 T A  = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

4페이지













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