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부품번호 | B20N03 기능 |
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기능 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
20mΩ
ID 12A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
PD
Tj, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2013/8/17
EMB20N03V
LIMITS
±20
12
9
48
8
3.2
1.6
21
8.3
2.5
1
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
W
°C
MAXIMUM
6
50
UNIT
°C / W
p.1
30
On‐Region Characteristics
VG S = 10V 6V
25 7V 5V
20
4.5V
15
10
5
0
01 2
34
VD S ‐ Drain Source Voltage(V)
5
1.9 On‐Resistance Variation with Temperature
I D = 8A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25
50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
30
Transfer Characteristics
VD S = 10V
25
20
T A = ‐55° C
25° C
15
10
125° C
5
0
1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2013/8/17
EMB20N03V
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D ‐ Drain Current(A)
24 30
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.09
0.08 I D = 6 A
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
T A = 125°C
T A = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S = 0V
10 T A = 125° C
1 25° C
0.1 ‐55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4
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B20N03 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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