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SSF6808 데이터시트 PDF




GOOD-ARK에서 제조한 전자 부품 SSF6808은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SSF6808 자료 제공

부품번호 SSF6808 기능
기능 68V N-Channel MOSFET
제조업체 GOOD-ARK
로고 GOOD-ARK 로고


SSF6808 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SSF6808 데이터시트, 핀배열, 회로
SSF6808
68V N-Channel MOSFET
FEATURES
Advanced trench process technology
Ultra low Rdson, typical 6mohm
High avalanche energy, 100% test
Fully characterized avalanche voltage and current
Lead free product
ID =84A
BV=68V
R DS (ON) =8mohm
DESCRIPTION
The SSF6808 is a new generation of middle voltage and high
current N–Channel enhancement mode trench power
MOSFET. This new technology increases the device
reliability and electrical parameter repeatability. SSF6808 is
assembled in high reliability and qualified assembly house.
APPLICATIONS
Power switching application
SSF6808 Top View (TO-220)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I DB
@T
B
B
c
=25ْ
B
C
Continuous drain current,VGS@10V
I
B
D
@T cB B
=100Cْ
B
Continuous drain current,VGS@10V
IDMB B Pulsed drain current
Power dissipation
P
B
D
@T CB B
=25ْC
B
Linear derating factor
V GSB B
dv/dt
Gate-to-Source voltage
Peak diode recovery voltage
E ASB B
E ARB B
T JB B
T STGB B
Single pulse avalanche energy
Repetitive avalanche energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Max.
84
76
310
181
1.5
±20
31
400
TBD
–55 to +175
Units
A
W
W/ْ C
V
v/ns
mJ
ْC
Thermal Resistance
Parameter
R θJCB B
R θJAB B
Junction-to-case
Junction-to-ambient
Min.
Typ.
0.83
Max.
62
Units
ْC/W
Electrical Characteristics @TJ=25 ْC (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ.
BV DSSB B
RBDS(on)B
VBGS(th)B
Drain-to-Source breakdown voltage
Static Drain-to-Source on-resistance
Gate threshold voltage
68 —
—5
2.0 —
——
IDSSB B Drain-to-Source leakage current
——
Max. Units
—V
8 mΩ
4.0 V
2
μA
10
Gate-to-Source forward leakage
I GSSB B
Gate-to-Source reverse leakage
— — 100
nA
— — -100
www.goodark.com
Page 1 of 5
Test Conditions
VGSB B=0V,IBDB=250μA
V
B
GSB=10V,I
B
DB=30A
V
B
D
SB=V
,IGSB B
DB
=250μA
B
VDB SB=68V,VBGSB=0V
VDB SB=68V,
VBGSB=0V,TBJB=150ْC
VGSB B=20V
V
B
GSB=-20V
Rev.2.4




SSF6808 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SSF6808
68V N-Channel MOSFET
Gate Charge
Source-Drain Diode Forward Voltage
Safe Operation Area
Max Drain Current vs. Junction Temperature
www.goodark.com
Transient Thermal Impedance Curve
Page 4 of 5
Rev.2.4

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