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FDS5692Z 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS5692Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS5692Z 자료 제공

부품번호 FDS5692Z 기능
기능 N-Channel UltraFET Trench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS5692Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS5692Z 데이터시트, 핀배열, 회로
February 2006
FDS5692Z
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
50V, 5.8A, 24mΩ
General Description
Features
This N-Channel UltraFET device has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
„ Max rDS(on) = 24mΩ at VGS = 10V, ID = 5.8A
„ Max rDS(on) = 33mΩ at VGS = 4.5V, ID = 5.6A
„ ESD protection diode (note 3)
Applications
„ Low Qgd
„ DC/DC converter
„ Fast switching speed
D
D
D
D
SO-8
G
SS
S
5
6
7
8
MOSFET Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
Drain-Source Voltage
Parameter
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
(Note 1a)
– Pulsed
EAS Single Pulse Avalanche Energy
PD UltraFET Dissipation for Single Operation (Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Package
Reel Size
FDS5692Z
FDS5692Z
SO-8
13”
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5692Z Rev C(W)
4
3
2
1
Ratings
50
± 20
5.8
40
72
2.5
1.2
1.1
–55 to 150
50
125
25
Units
V
V
A
mJ
W
°C
°C/W
Tape width
12mm
Quantity
2500units
www.fairchildsemi.com




FDS5692Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
40
VGS = 10V
32
6.0V
24
4.5V
4.0V
3.5.V
16
8
0
0
3.0V
123
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2.5V
4
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
VGS = 3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
10 20 30
ID, DRAIN CURRENT (A)
40
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
ID = 5.8A
1.8 VGS = 5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
0.09
0.07
ID = 2.9A
0.05
TA = 125oC
0.03
TA = 25oC
0.01
2
468
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
40
VDS = 5V
30
20
TA = -55oC
125oC
25oC
10
0
01234
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
5
100
VGS = 0V
10
1
0.1
0.01
TA = 125oC
25oC
-55oC
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS5692Z Rev C(W)
www.fairchildsemi.com

4페이지












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