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EM48AM3284LBB 데이터시트 PDF




Eorex에서 제조한 전자 부품 EM48AM3284LBB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EM48AM3284LBB 자료 제공

부품번호 EM48AM3284LBB 기능
기능 512Mb (4M x 4Bank x 32) Mobile Synchronous DRAM
제조업체 Eorex
로고 Eorex 로고


EM48AM3284LBB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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EM48AM3284LBB 데이터시트, 핀배열, 회로
Revision History
Revision 0.1 (May. 2010)
- First release.
Revision 0.2 (Sep. 2010)
- Delete CL=2 parameters
- Input Leakage Current = -2μA ~ +2μA
- Change Supply Voltage Rating = -0.5 ~ +2.3
- Delete Deep Power Down Mode
- Change AC timing paramters: tRC & tIS
Revision 0.3 (Nov. 2010)
- Change clock input capacitance value
EM48AM3284LBB
Nov. 2010
www.eorex.com
1/22




EM48AM3284LBB pdf, 반도체, 판매, 대치품
Pin Assignment
1
DQ26
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQM1
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQ11
DQ13
2
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
VDDQ
DQ15
EM48AM3284LBB
3
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
A12
A9
NC
VSS
DQ9
DQ14
VSSQ
VSS
7
A VDD
B VDDQ
C DQ22
D DQ17
E NC
F A2
G A10
H NC
J BA0
K /CAS
L VDD
M DQ6
N DQ1
P VDDQ
R VDD
90ball FBGA / (8mm x 13mm)
8
DQ23
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
/CS
/WE
DQ7
DQ5
DQ3
VSSQ
DQ0
9
DQ21
DQ19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
A11
/RAS
DQM0
VSSQ
VDDQ
VDDQ
DQ4
DQ2
Nov. 2010
www.eorex.com
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4페이지










EM48AM3284LBB 전자부품, 판매, 대치품
EM48AM3284LBB
Recommended DC Operating Conditions
(VDD=1.7~1.95V, TA=-25°C ~85°Cfor extended)
Symbol
Parameter
Test Conditions
ICC1
ICC2P
ICC2PS
ICC2N
ICC2NS
ICC3P
ICC3PS
ICC3N
ICC3NS
ICC4
Operating Current (Note 1)
Precharge Standby Current in
Power Down Mode
Precharge Standby Current in
Non-power Down Mode
Active Standby Current in Power
Down Mode
Active Standby Current in
Non-power Down Mode
Operating Current (Burst Mode)
(Note 2)
Burst length=1,
tRCtRC(min.), IOL=0mA,
One bank active
CKEVIL(max.), tCK=15ns
CKEVIL(max.), tCK=
CKEVIL(min.), tCK=15ns,
/CSVIH(min.)
Input signals are changed one
time during 30ns
CKEVIL(min.), tCK= ,
Input signals are stable
CKEVIL(max.), tCK=15ns
CKEVIL(max.), tCK=
CKEVIL(min.), tCK=15ns,
/CSVIH(min.)
Input signals are changed one
time during 30ns
CKEVIL(min.), tCK= ,
Input signals are stable
tCCD2CLKs, IOL=0mA
ICC5 Refresh Current (Note 3)
tRCtRC(min.)
ICC6 Slef Refresh Current
CKE0.2, Full Array, Internal
TCSR = 85°C
*All voltages referenced to VSS.
Note 1: ICC1 depends on output loading and cycle rates.
Specified values are obtained with the output open.
Input signals are changed only one time during tCK (min.)
Note 2: ICC4 depends on output loading and cycle rates.
Specified values are obtained with the output open.
Input signals are changed only one time during tCK (min.)
Note 3: Input signals are changed only one time during tCK (min.)
Speed
-6
70
1
1
5
2
3
3
15
10
130
90
0.6
Speed
-7.5
65
1
1
5
2
3
3
15
10
110
90
0.6
Units
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Recommended DC Operating Conditions (Continued)
Symbol
Parameter
IIL Input Leakage Current
IOL Output Leakage Current
VOH High Level Output Voltage
VOL Low Level Output Voltage
Test Conditions
0VIVDDQ, VDDQ=VDD
All other pins not under test=0V
0VOVDDQ, DOUT is disabled
IO=-0.1mA
IO=+0.1mA
Min. Typ.
-2
-1.5
VDDQ-0.2
Max. Units
+2 uA
+1.5
0.2
uA
V
V
Nov. 2010
www.eorex.com
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