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부품번호 | 1SS133 기능 |
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기능 | Switching diode | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
Diodes
Switching diode
1SS133
1SS133
!Applications
High speed switching
!Features
1) Glass sealed envelope. (MSD)
2) High speed. (trr=1.2ns Typ.)
3) High reliability.
!Construction
Silicon epitaxial planar
!External dimensions (Units : mm)
CATHODE BAND (YELLOW)
φ0.4±0.1
29.0±1.0
2.7±0.3
ROHM : MSD
EIAJ : −
JEDEC : DO-34
29.0±1.0
φ1.8±0.2
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Peak forward current
VRM
VR
IFM
90
80
400
Mean rectifying current
Surge current (1s)
IO
Isurge
130
600
Power dissipation
P 300
Junction temperature
Storage temperature
Tj 175
Tstg −65~+175
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
!Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
VF
IR
CT
trr
− − 1.2 V IF=100mA
− − 0.5 µA VR=80V
− − 2 pF VR=0.5V, f=1MHz
− − 4 ns VR=6V, IF=10mA, RL=50Ω
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS130 | HIGH SPEED SWITCHING DIODE | EIC |
1SS131 | HIGH SPEED SWITCHING DIODE | EIC |
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