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BSN012N03LSI 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSN012N03LSI은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSN012N03LSI 자료 제공

부품번호 BSN012N03LSI 기능
기능 Power-MOSFET
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSN012N03LSI 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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BSN012N03LSI 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOSTM Power-MOSFET
Features
• Optimized for high performance Buck converter
• Monolithic integrated Schottky like diode
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• 100% avalanche tested
• N-channel
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSN012N03LSI
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
QOSS
QG(0V..10V)
30 V
1.2 mW
50 A
33 nC
56 nC
LG-USON-6-1
Type
BSN012N03LSI
Package
LG-USON-6-1
Marking
012N03LI
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
V GS=4.5 V, T C=25 °C
50 A
50
50
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
50
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
36
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
200
Avalanche current, single pulse4)
I AS
T C=25 °C
50
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=50 A, R GS=25 W
145 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Rev. 2.0
page 1
2014-05-23




BSN012N03LSI pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSN012N03LSI
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 80
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
limited by on-state
103 resistance
120
1 µs
10 µs
102 100 µs
1 ms
10 ms
101
DC
100
120
100
80
60
40
20
0
160 0 40 80 120
TC [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
100 0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
160
10-1
10-1
Rev. 2.0
100 101
VDS [V]
10-3
102
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
tp [s]
page 4
2014-05-23

4페이지










BSN012N03LSI 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
100
25 °C
100 °C
10 125 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
10
8
BSN012N03LSI
12 V
5V
20 V
6
4
2
1
1 10 100
tAV [µs]
15 Typ. drain-source leakage current
I DSS=f(V DS ); V GS=0 V
parameter: T j
10-2
10-3
10-4
125 °C
100 °C
75 °C
10-5
25 °C
10-6
0
Rev. 2.0
5 10 15
VSD [V]
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
V GS
Qg
V gs(th)
Q g(th)
Q gs
20
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2014-05-23

7페이지


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