Datasheet.kr   

IDW40G120C5B 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDW40G120C5B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IDW40G120C5B 자료 제공

부품번호 IDW40G120C5B 기능
기능 Silicon Carbide Schottky Diode
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDW40G120C5B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

IDW40G120C5B 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Carbide Schottky Diode
IDW40G120C5B
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
Final Datasheet
Rev. 2.0 2014-06-10
Industrial Power Control




IDW40G120C5B pdf, 반도체, 판매, 대치품
IDW40G120C5B
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
Maximum ratings
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current for Rth(j-c,max)
TC = 148°C, D=1
TC = 135°C, D=1
TC = 25°C, D=1
Surge non-repetitive forward current, sine halfwave
TC=25°C, tp=10ms
TC=150°C, tp=10ms
Non-repetitive peak forward current
TC = 25°C, tp=10 µs
i²t value
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Diode dv/dt ruggedness
VR=0...960 V
Power dissipation for Rth(j-c,max)
TC = 25°C
Operating and storage temperature
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
1.6mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque
M3 and M4 screws
Symbol
VRRM
IF
IF,SM
IF,max
i²dt
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Tsold
M
Value (leg/device)
1200
20 / 40
25 / 51
55 / 110
145 / 290
140 / 280
1575 / 3150
105 / 420
98 / 392
80
201 / 402
-55…175
260
0.7
Unit
V
A
A
A
A²s
V/ns
W
°C
°C
Nm
Thermal Resistances
Parameter
Characteristic
Diode thermal resistance,
junction case
Thermal resistance,
junction ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a) leaded
Value (leg/device)
min. typ. max.
Unit
- 0.6/0.3 0.8/0.4 K/W
- - 62 K/W
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2014-06-10

4페이지










IDW40G120C5B 전자부품, 판매, 대치품
IDW40G120C5B
5th Generation thinQ!™ 1200 V SiC Schottky Diode
120
Per leg
100
80
60
40
20
0
100
400 700
dIF/dt [A/µs]
1000
Figure 5. Typical capacitive charge per leg as
function of current slope1, QC=f(dIF/dt), Tj=150°C
1) guaranteed by design.
1.E-04
1.E-05
Per leg
1.E-06 175 C
1.E-07 150 C
1.E-08
100 C
25 C
-55 C
1.E-09
200 400 600 800 1000 1200
VR [V]
Figure 6. Typical reverse characteristics per leg,
IR=f(VR), parameter: Tj
1600
Per leg
1
1400
1200
1000
Per leg
800
0.1
0.01
1E-6
1E-3
tp [s]
D= 0.50
D= 0.20
D= 0.10
D= 0.05
D= 0.02
D= 0.01
Single Pulse
1E0
600
400
200
0
0
1 10 100 1000
VR [V]
Figure 7. Max. transient thermal impedance per leg, Figure 8. Typical capacitance per leg as function of
Zth,j-c=f(tP), parameter: D=tP/T
reverse voltage, C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2014-06-10

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ IDW40G120C5B.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
IDW40G120C5B

Silicon Carbide Schottky Diode

Infineon
Infineon

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵