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IGP20N65H5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IGP20N65H5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IGP20N65H5 자료 제공

부품번호 IGP20N65H5 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IGP20N65H5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 14 페이지수

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IGP20N65H5 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology
IGP20N65H5
650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




IGP20N65H5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGP20N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
VCE
IC
ICpuls
650 V
42.0 A
21.0
60.0 A
Turn off safe operating area
VCE650V,Tvj175°C,tp=1µs
- 60.0 A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
±20
±30
125.0
63.0
-40...+175
-55...+150
V
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
1.20 K/W
62 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
Symbol Conditions
StaticCharacteristic
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES
Collector-emitter saturation voltage VCEsat
Gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
Zero gate voltage collector current ICES
Gate-emitter leakage current
Transconductance
IGES
gfs
VGE=0V,IC=0.20mA
VGE=15.0V,IC=20.0A
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=175°C
IC=0.20mA,VCE=VGE
VCE=650V,VGE=0V
Tvj=25°C
Tvj=175°C
VCE=0V,VGE=20V
VCE=20V,IC=20.0A
Value
Unit
min. typ. max.
650 -
-V
-
-
1.65 2.10
1.85 -
V
- 1.95 -
3.2 4.0 4.8 V
- - 40.0 µA
- - 4000.0
- - 100 nA
- 24.0 - S
4 Rev.2.1,2014-06-11

4페이지










IGP20N65H5 전자부품, 판매, 대치품
IGP20N65H5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
100
10
DC
1
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 1. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tvj175°C;VGE=15V.
RecommendeduseatVGE7.5V)
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj175°C)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
60
55
50
VGE=18V
45
15V
40
12V
35 10V
30 8V
25 7V
20 6V
15 5V
10
5
0
012345
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=25°C)
7 Rev.2.1,2014-06-11

7페이지


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