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1SS190 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 1SS190은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1SS190 자료 제공

부품번호 1SS190 기능
기능 SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


1SS190 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1SS190 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SS190
Ultra High Speed Switching Application
1SS190
Unit: mm
z Small package
: SC-59
z Low forward voltage
: VF (3) = 0.92V (typ.)
z Fast reverse recovery time : trr = 1.6ns (typ.)
z Small total capacitance : CT = 2.2pF (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Maximum (peak) reverse voltage
VRM
85 V
Reverse voltage
VR 80 V
Maximum (peak) forward current
IFM
300 mA
Average forward current
IO 100 mA
Surge current (10ms)
IFSM
2A
Power dissipation
P 150 mW
Junction temperature
Storage temperature range
Tj 125 °C JEDEC
Tstg
55 to 125
°C
JEITA
TOSHIBA
-
SC-59
1-3G1C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high Weight: 0.012g (typ.)
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
Characteristic
Forward voltage
Reverse current
Total capacitance
Reverse recovery time
Symbol
VF (1)
VF (2)
VF (3)
IR (1)
IR (2)
CT
trr
Test
Circuit
Test Condition
IF = 1mA
IF = 10mA
IF = 100mA
VR = 30V
VR = 80V
VR = 0, f = 1MHz
IF = 10mA (Fig.1)
Min Typ. Max Unit
0.61
0.74
V
0.92 1.20
― ― 0.1
μA
― ― 0.5
2.2 4.0 pF
1.6 4.0 ns
Marking
Start of commercial production
1982-06
1 2014-03-01





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