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NTND31211PZ 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 NTND31211PZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NTND31211PZ 자료 제공

부품번호 NTND31211PZ 기능
기능 Small Signal MOSFET
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


NTND31211PZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTND31211PZ 데이터시트, 핀배열, 회로
NTND31211PZ
Small Signal MOSFET
−20 V, −127 mA, Dual P−Channel,
0.65 mm x 0.90 mm x 0.4 mm XLLGA6
Package
Features
Dual P−Channel MOSFET
Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small
0.65 mm × 0.90 mm Package
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Applications
Small Signal Load Switch
Analog Switch
High Speed Interfacing
Optimized for Power Management in Ultra Portable Products
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Value Unit
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
Steady
State
Power Dissipation
(Note 1)
t5s
Steady
State
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 25°C
TA = 25°C
VDSS
VGS
ID
PD
−20
±8
−127
−91
−146
125
V
V
mA
mW
t5s
166
Pulsed Drain Current
tp = 10 ms
Operating Junction and Storage Temperature
Source Current (Body Diode) (Note 2)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8from case for 10 s)
IDM
TJ,
TSTG
IS
TL
−488
−55 to
150
−200
260
mA
°C
mA
°C
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size,
1 oz Cu.
2. Pulse Test: pulse width 300 ms, duty cycle 2%
www.onsemi.com
V(BR)DSS
−20 V
RDS(ON) MAX
5.0 W @ −4.5 V
6.0 W @ −2.5 V
7.0 W @ −1.8 V
10.0 W @ −1.5 V
ID Max
−127 mA
P−Channel MOSFET
S1
S2
G1 G2
D1 D2
XLLGA6
Case 713AC
PINOUT DIAGRAM
6 D1
S1 1
5 G2
G1 2
4 S2
D2 3
(Bottom View)
MARKING DIAGRAM
KM
1
K = Specific Device Code
M = Date Code
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 2 of
this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
November, 2015 − Rev. 0
1
Publication Order Number:
NTND31211PZ/D




NTND31211PZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
NTND31211PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
25
20
CISS
15
VGS = 0 V
TJ = 25°C
f = 1 MHz
10
COSS
5
CRSS
0
0
5
10 15
−VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
20
0.010
0.009
VGS = 0 V
0.008
0.007
TJ = 125°C
0.006
0.005
0.004
TJ = 25°C
0.003
0.002
0.3
0.4
0.5
TJ = −55°C
0.6 0.7
0.8
0.9 1.0
−VSD, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
td(off)
tf
100 tr
td(on)
VGS = −4.5 V
VDS = −15 V
ID = −0.2 A
10
1 10 100
RG, GATE RESISTANCE (W)
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1
VGS −4.5 V
Single Pulse
TC = 25°C
0.1
10 ms
100 ms
1 ms
0.01
0.001
0.1
10 ms
RDS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
1 10
100
−VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1000
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
100 0.05
0.02
0.01
10
Single Pulse
1
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t, PULSE TIME (s)
Figure 11. Thermal Response
1
10 100 1000
www.onsemi.com
4

4페이지












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