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부품번호 | KTC3197 기능 |
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기능 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH FREQUENCY APPLICATION.
VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
ᴌHigh Gain : Gpe=33dB(Typ.) (f=45MHz).
ᴌGood Linearity of hFE.
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Emitter Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IE
PC
Tj
Tstg
RATING
30
25
4
50
-50
625
150
-55ᴕ150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
ᴱ
ᴱ
KTC3197
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
BC
K
E
G
D
H
FF
1 23
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
B 4.80 MAX
C 3.70 MAX
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
J 14.00 +_0.50
K 0.55 MAX
L 2.30
M 0.45 MAX
N 1.00
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
TO-92
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Saturation
Voltage
Collector-Emitter
Base-Emitter
Collector Output Capacitance
Collector-Base Time Constant
Transition Frequency
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
Cob
Ccᴌrbb’
fT
Power Gain (Fig.1)
Gpe
TEST CONDITION
VCB=30V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=10mA, IB=0
VCE=12.5V, IC=12.5mA
IC=15mA, IB=1.5mA
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
VCB=10V, IE=-1mA, f=30MHz
VCE=12.5V, IC=12.5mA
VCC=12.5V, IE=-12.5mA f=45MHz
MIN.
-
-
25
20
-
-
0.8
-
300
28
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX.
0.1
0.1
-
200
0.2
1.5
2.0
25
-
36
UNIT
ỌA
V
V
pF
pS
MHz
dB
1994. 6. 24
Revision No : 0
1/4
KTC3197
-0.38
-0.34
-0.30
-0.26
-0.22
gre , bre - IC
bre
COMMON EMITTER
f=45MHz
Ta=25 C
VCE =10V
12.5
15
-0.18
VCE =10V
-0.14
-0.10
g re
12.5
15
4 6 8 10 12 14 16
COLLECTOR CURRENT I C (mA)
-0.52
-0.48
-0.44
-0.40
-0.36
g re , bre - IC
VCE =10V
12.5
15
bre
COMMON EMITTER
f=58MHz
Ta=25 C
VCE =10V
-0.32
-0.28
gre
12.5
15
-0.24
4 6 8 10 12 14
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
16
160
140
120
100
80
604
gfe , bfe - IC
-160
12.5
15
g re
VCE =10V
VCE =10V
12.5
15
-140
-120
b re
68
-100
COMMON EMITTER
f=45MHz
Ta=25 C
-80
10 12 14 16-60
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
gfe , bfe - IC
160
COMMON EMITTER
f=58MHz
140 Ta=25 C
120
g fe
100
80
b fe
-160
VCE =10V
12.5
15
VCE =10V
12.5
15
-140
-120
-100
-80
60 4 6 8 10 12 14 16-60
COLLECTOR CURRENT I C (mA)
1994. 6. 24
Revision No : 0
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KTC3190 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER/ HF BAND AMPLIFIER) | KEC(Korea Electronics) |
KTC3190 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | KEC |
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