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1SS348 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 1SS348은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1SS348 자료 제공

부품번호 1SS348 기능
기능 DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


1SS348 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1SS348 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS348
Low Voltage High Speed Switching
1SS348
Unit: mm
z Low forward voltage
z Low reverse current
z Small package
: VF (3) = 0.56V (typ.)
: IR = 5μA (max)
: SC-59
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Maximum (peak) reverse voltage
VRM
85 V
Reverse voltage
VR 80 V
Maximum (peak) forward current
IFM
300 mA
Average forward current
Power dissipation
IO 100 mA
P 200 mW
Junction temperature
Storage temperature
Tj 125 °C
Tstg
55~125
°C
Operating Temperature
Topr
40~100
°C JEDEC
TD-236MOD
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEITA
SC-59
temperature/current/voltage and the significant change in
TOSHIBA
1-3G1B
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
Weight: 0.012g (typ.)
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Forward voltage
Reverse current
Total capacitance
Symbol
VF (1)
VF (2)
VF (3)
IR (1)
CT
Test
Circuit
Test Condition
IF = 1mA
IF = 10mA
IF = 100mA
VR = 80V
VR = 0, f = 1MHz
Min Typ. Max Unit
0.26
0.34
V
0.56 0.70
― ― 5 μA
45 100 pF
Marking
1 2007-11-01





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