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NSL12TT1 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 NSL12TT1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NSL12TT1 자료 제공

부품번호 NSL12TT1 기능
기능 High Current Surface Mount PNP Silicon Transistor
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


NSL12TT1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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NSL12TT1 데이터시트, 핀배열, 회로
NSL12TT1
High Current Surface
Mount PNP Silicon
Low VCE(sat) Transistor for
Battery Operated
Applications
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current – Peak
Collector Current – Continuous
Electrostatic Discharge
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ESD
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Total Device Dissipation
TA = 25°C
Derate above 25°C
PD (Note 1)
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
RθJA (Note 1)
Total Device Dissipation
TA = 25°C
Derate above 25°C
PD (Note 2)
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
RθJA (Note 2)
Thermal Resistance,
Junction to Lead #3
RθJL
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
1. FR–4 @ Minimum Pad
2. FR–4 @ 1.0 X 1.0 inch Pad
Max Unit
–12 Vdc
–20 Vdc
–4.0 Vdc
–1.0 Adc
–0.5
HBM Class 3B
MM Class C
Max Unit
210 mW
1.7 mW/°C
595 °C/W
365 mW
2.9 mW/°C
340 °C/W
205 °C/W
–55 to
+150
°C
http://onsemi.com
12 VOLTS
1.0 AMPS
PNP TRANSISTOR
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
3
2
1
CASE 463
SOT–416/SC–75
STYLE 1
DEVICE MARKING
L2
L2 = Specific Device Code
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NSL12TT1
SOT–416 3000/Tape & Reel
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
February, 2002 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
NSL12TT1/D




NSL12TT1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NSL12TT1
1.2
VCE = 3.0 V
1
0.8
0.6
0.4
–55°C
25°C
TA = 125°C
0.2
0
0.001
0.01 0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
Figure 7. Base Emitter Turn–On Voltage vs.
Collector Current
55
50
45
40
35
30
25
20
0
f = 1 MHz
IC = 0 A
TA = 25°C
12345
VEB, EMITTER BASE VOLTAGE
Figure 8. Input Capacitance
6
35
f = 1 MHz
IE = 0 A
30 TA = 25°C
25
20
15
10
0 2 4 6 8 10 12 14
VCB, COLLECTOR BASE VOLTAGE
Figure 9. Output Capacitance
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
0.1 D = 0.05
D = 0.01
0.01
0.0001
SINGLE PULSE
0.001
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Copper Area = 0.048 square inches
RθJA = 505.7 °C/W
0.01 0.1
1
t1, TIME (s)
10
Figure 10. Normalized Thermal Response
100 1000
http://onsemi.com
4

4페이지










NSL12TT1 전자부품, 판매, 대치품
NSL12TT1
PACKAGE DIMENSIONS
SC–75/SOT–416
CASE 463–01
ISSUE B
S
D 3 PL
0.20 (0.008) M B
–A–
2
3
1
G –B–
K 0.20 (0.008) A
JC
LH
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
MILLIMETERS
INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.70 0.80 0.028 0.031
B 1.40 1.80 0.055 0.071
C 0.60 0.90 0.024 0.035
D 0.15 0.30 0.006 0.012
G 1.00 BSC
0.039 BSC
H --- 0.10 --- 0.004
J 0.10 0.25 0.004 0.010
K 1.45 1.75 0.057 0.069
L 0.10 0.20 0.004 0.008
S 0.50 BSC
0.020 BSC
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
http://onsemi.com
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7페이지


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