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부품번호 | SCH2805 기능 |
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기능 | P-Channel Silicon MOSFET | ||
제조업체 | ON Semiconductor | ||
로고 | |||
SCH2805
Ordering number : ENN7760
SCH2805
MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET
SBD : Schottky Barrier Diode
General-Purpose Switching Device
Features
Applications
• Composite type with a P-channel sillicon MOSFET (MCH3314) and a Schottky barrier diode (SB0105)
contained in one package facilitating high-density mounting.
[MOSFET]
• Low ON-resistance.
• Ultrahigh-speed switching.
• 4V drive.
[SBD]
• Short reverse recovery time.
• Low forward voltage.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
[MOSFET]
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
[SBD]
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Marking : QE
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
VRRM
VRSM
IO
IFSM
Tj
Tstg
Conditions
PW≤10µs, duty cycle≤1%
Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm) 1unit
50Hz sine wave, 1 cycle
Ratings
Unit
--60
±20
--0.5
--2 A
0.6
150
--55 to +125
V
V
A
W
°C
°C
50
50
100
2
--55 to +125
--55 to +125
V
V
mA
A
°C
°C
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn6seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
SCH2805/D
SCH2805
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
--0.01
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
yfs -- ID
[MOSFET]
VDS= --10V
25°C
Ta= --25°C
75°C
23
5 7 --0.1
23
5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT03945
[MOSFET]
VDD= --30V
VGS= --10V
td(off)
td(on)
tr
IF -- VSD
[MOSFET]
--1.0
7 VGS=0
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.4
100
7
--0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT03946
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
Ciss f=1MHz
5
3
2
10
7 Coss
5
Crss
3
2
1.0
3
57
--10
VDS= --10V
--9 ID= --0.5A
--0.1
23
5
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
7 --1.0
2
IT03947
[MOSFET]
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT03949
PD -- Ta
[MOSFET]
0.8
1.0
0
--10 --20 --30 --40 --50 --60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03948
ASO
[MOSFET]
5
3 IDP= --2A
2
<10µs
--1.0
7 ID= --0.5A
5
3
2
1ms
--0.1
7
5
3 Operation in this area
2 is limited by RDS(on).
--0.01
Ta=25°C
7 Single pulse
5
3
Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm) 1unit
--0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7--100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06911
0.6
0.4
0.2
Mounted on a ceramic board (900mm 2✕0.8mm) 1unit
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT06912
Rev.0 I Page 4 of 6 I www.onsemi.com
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구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SCH2805 | P-Channel Silicon MOSFET | ON Semiconductor |
SCH2806 | General-Purpose Switching Device Applications | Sanyo Semicon Device |
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