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BLF10M6200 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLF10M6200은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLF10M6200 자료 제공

부품번호 BLF10M6200 기능
기능 Power LDMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLF10M6200 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLF10M6200 데이터시트, 핀배열, 회로
BLF10M6200; BLF10M6LS200
Power LDMOS transistor
Rev. 1 — 1 July 2013
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
200 W LDMOS power transistor for ISM applications at frequencies from 700 MHz to
1000 MHz.
Table 1. Typical performance
Typical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.
Test signal
f
VDS
PL(AV)
Gp
D
ACPR
(MHz)
(V) (W)
(dB) (%) (dBc)
2-carrier W-CDMA
869 to 894
28 40
20 28.5 39[1]
[1] Test signal: 3GPP test model 1; 64 DPCH; PAR = 7.5 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier;
carrier spacing 5 MHz.
1.2 Features and benefits
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances
(RoHS)
1.3 Applications
RF power amplifiers for ISM applications in the 700 MHz to 1000 MHz frequency
range.




BLF10M6200 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF10M6200; BLF10M6LS200
Power LDMOS transistor
input
50 Ω
7.2 Test circuit
VGG
R1
C3
R2
C1
C7
C8
C11 C13 C17
R3
L1
C5
VDD
C16
output
50 Ω
C2
The drawing is not to scale.
Fig 1. Test circuit for operation at 800 MHz
C6
C9 C10 C12 C14 C18
C15
001aah523
R1
C3
R2
C1 C2
C7 C8
C11 C13
R3
Q1
L1
C17
C5
C16
C6
C15
NXP
IN
800 -1000 MHz
V1.0
C12 C14
C9 C10
NXP
OUT
800 -1000 MHz
V1.0
C18
001aah524
Fig 2.
The striplines are on a double copper-clad Taconic RF35 Printed-Circuit Board (PCB) with r = 3.5 and thickness = 0.76 mm.
See Table 9 for list of components.
The drawing is not to scale.
Component layout
BLF10M6200_BLF10M6LS200
Product data sheet
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Rev. 1 — 1 July 2013
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BLF10M6200 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF10M6200; BLF10M6LS200
Power LDMOS transistor
8. Package outline
Flanged ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
D
A
F
3
D1
U1
q
1
B
C
L
c
H U2
A
2
b
p E1
w1 M A M B M
E
w2 M C M
Q
0 5 10 mm
scale
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
UNIT A
b
c
D D1 E E1 F
H
L
p
Q q U1 U2 w1
mm
4.72 12.83 0.15 20.02 19.96 9.50
3.43 12.57 0.08 19.61 19.66 9.30
9.53
9.25
1.14 19.94 5.33
0.89 18.92 4.32
3.38
3.12
1.70
1.45
27.94 34.16
33.91
9.91
9.65
0.25
inches
0.186
0.135
0.505 0.006
0.495 0.003
0.788 0.786
0.772 0.774
0.374 0.375
0.366 0.364
0.045 0.785
0.035 0.745
0.210 0.133
0.170 0.123
0.067
0.057
1.100
1.345
1.335
0.390
0.380
0.01
w2
0.51
0.02
OUTLINE
VERSION
SOT502A
IEC
REFERENCES
JEDEC
JEITA
Fig 8. Package outline SOT502A
BLF10M6200_BLF10M6LS200
Product data sheet
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Rev. 1 — 1 July 2013
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
03-01-10
12-05-02
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