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BLF2425M7LS100 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLF2425M7LS100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLF2425M7LS100 자료 제공

부품번호 BLF2425M7LS100 기능
기능 Power LDMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLF2425M7LS100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLF2425M7LS100 데이터시트, 핀배열, 회로
BLF2425M7L100;
BLF2425M7LS100
Power LDMOS transistor
Rev. 1 — 6 December 2013
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
100 W LDMOS power transistor for industrial applications at frequencies from 2300 MHz
to 2400 MHz.
Table 1. Typical performance
Typical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.
Test signal
f
IDq VDS PL(AV) Gp D ACPR885k ACPR5M
(MHz)
(mA) (V) (W)
(dB) (%) (dBc)
(dBc)
IS-95
2300 to 2400 900 28 20
18 27 46[1]
-
1 carrier W-CDMA 2300 to 2400 900 28 30
18.7 33 -
40[2]
[1] Single carrier IS-95 with pilot, paging, sync and 6 traffic channels (Walsh codes 8 - 13). PAR = 9.7 dB at
0.01 % probability on the CCDF. Channel bandwidth is 1.2288 MHz.
[2] 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7.2 dB at 0.01 % probability on CCDF. Channel bandwidth is
3.84 MHz.
1.2 Features and benefits
Excellent ruggedness
High efficiency
Low Rth providing excellent thermal stability
Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability
Internally matched for ease of use
Integrated ESD protection
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
1.3 Applications
RF power amplifiers for industrial and multi carrier applications in the 2300 MHz to
2400 MHz frequency range




BLF2425M7LS100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF2425M7L(S)100
Power LDMOS transistor
7.2 Graphical data
7.2.1 Single carrier IS-95
Single carrier IS-95 with pilot, paging, sync and 6 traffic channels (Walsh codes 8 - 13).
PAR = 9.7 dB at 0.01 % probability on the CCDF. Channel bandwidth is 1.2288 MHz.

*S
G%



DDQ

Ș'



DDQ







   
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 1. Power gain as a function of output power;
typical values

$3&5N
G%F



DDQ



    
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 2. Drain efficiency as a function of output power;
typical values

$3&5N
G%F

DDQ




 


   
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 3. Adjacent channel power ratio (885 kHz) as a
function of output power; typical values


   
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 4. Adjacent channel power ratio (1980 kHz) as a
function of output power; typical values
BLF2425M7L100_2425M7LS100
Product data sheet
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Rev. 1 — 6 December 2013
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BLF2425M7LS100 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF2425M7L(S)100
Power LDMOS transistor

3$5
G%



DDQ



3/ 0 
:




DDQ



     
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 13. Peak-to-average power ratio as a function of
output power; typical values

     
3/ :
VDS = 28 V; IDq = 900 mA.
(1) f = 2300 MHz
(2) f = 2400 MHz
Fig 14. Peak output power as a function of output
power; typical values
BLF2425M7L100_2425M7LS100
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
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