Datasheet.kr   

BLF574XR 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLF574XR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLF574XR 자료 제공

부품번호 BLF574XR 기능
기능 Power LDMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLF574XR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 14 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BLF574XR 데이터시트, 핀배열, 회로
BLF574XR; BLF574XRS
Power LDMOS transistor
Rev. 1 — 20 June 2013
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
A 600 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial
applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the
BLF574 using NXP's XR process to provide maximum ruggedness capability in the most
severe applications without compromising the RF performance.
Table 1. Application information
Test signal
f
(MHz)
CW 225
pulsed RF
225
VDS
PL
Gp
(V) (W) (dB)
50 600 23.5
50 600 24
D
(%)
74.5
74.7
1.2 Features and benefits
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
1.3 Applications
Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications




BLF574XR pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF574XR; BLF574XRS
Power LDMOS transistor

&RVV
S)

DDD



   
9'6 9
Fig 1.
VGS = 0 V; f = 1 MHz.
Output capacitance as a function of drain-source voltage; typical values per
section
7. Test information
7.1 Ruggedness in class-AB operation
The BLF574XR and BLF574XRS are capable of withstanding a load mismatch
corresponding to VSWR > 65 : 1 through all phases under the following conditions:
VDS = 50 V; IDq = 100 mA; PL = 600 W pulsed; f = 225 MHz.
7.2 Impedance information
gate 1
Zi
gate 2
Fig 2. Definition of transistor impedance
drain 1
ZL
drain 2
001aan207
Table 9. Typical push-pull impedance
Simulated Zi and ZL device impedance; impedance info at VDS = 50 V and PL = 600 W.
f Zi
ZL
(MHz)
()
()
225 4.67 j5.47
5.66 + j2.05
BLF574XR_BLF574XRS
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 1 — 20 June 2013
© NXP B.V. 2013. All rights reserved.
4 of 14

4페이지










BLF574XR 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BLF574XR; BLF574XRS
Power LDMOS transistor

*S
G%

DDD




 




      
3/ :
VDS = 50 V; f = 225 MHz.
(1) IDq = 50 mA
(2) IDq = 100 mA
(3) IDq = 200 mA
(4) IDq = 300 mA
(5) IDq = 400 mA
(6) IDq = 500 mA
Fig 6. Power gain as a function of output power;
typical values

Ș'




DDD







       
3/ :
VDS = 50 V; f = 225 MHz.
(1) IDq = 50 mA
(2) IDq = 100 mA
(3) IDq = 200 mA
(4) IDq = 300 mA
(5) IDq = 400 mA
(6) IDq = 500 mA
Fig 7. Drain efficiency as a function of output power;
typical values
BLF574XR_BLF574XRS
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 1 — 20 June 2013
© NXP B.V. 2013. All rights reserved.
7 of 14

7페이지


구       성 총 14 페이지수
다운로드[ BLF574XR.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BLF574XR

Power LDMOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BLF574XRS

Power LDMOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵