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MTB11N03BV8 데이터시트 PDF




CYStech Electronics에서 제조한 전자 부품 MTB11N03BV8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MTB11N03BV8 자료 제공

부품번호 MTB11N03BV8 기능
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 CYStech Electronics
로고 CYStech Electronics 로고


MTB11N03BV8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB11N03BV8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00V8
Issued Date : 2015.05.25
Revised Date :
Page No. : 1/9
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB11N03BV8 BVDSS
ID @ TC=25°C, VGS=10V
30V
44A
ID @ TA=25°C, VGS=10V
14A
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=14A 7.3mΩ
VGS=4.5V, ID=12A 11.2mΩ
Features
Single Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
Pb-free lead plating and halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB11N03BV8
Outline
Pin 1
DFN3×3
GGate DDrain SSource
Ordering Information
Device
MTB11N03BV8-0-T6-G
Package
DFN3×3
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
3000 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T6 : 3000 pcs / tape & reel,13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB11N03BV8
CYStek Product Specification




MTB11N03BV8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00V8
Issued Date : 2015.05.25
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
50
10V, 9V, 8V, 7V, 6V, 5V
40 VGS=4.5V
30
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
20 VGS=4V
10
0
0
VGS=3.5V
24 68
VDS, Drain-Source Voltage(V)
10
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
0.8
ID=250μA,
0.6 VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=4.5V
10
VGS=10V
1
Tj=25°C
0.8
0.6 Tj=150°C
0.4
1
0.1
1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
100
90
80 ID=14A
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.4
2 VGS=4.5V, ID=12A
RDS(ON)@Tj=25°C : 11.2 mΩ
1.6
1.2
0.8
0.4 VGS=10V, ID=14A
RDS(ON)@Tj=25°C : 7.3 mΩ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB11N03BV8
CYStek Product Specification

4페이지










MTB11N03BV8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : CA00V8
Issued Date : 2015.05.25
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB11N03BV8
CYStek Product Specification

7페이지


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