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PMV65XPEA 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PMV65XPEA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PMV65XPEA 자료 제공

부품번호 PMV65XPEA 기능
기능 P-channel Trench MOSFET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PMV65XPEA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PMV65XPEA 데이터시트, 핀배열, 회로
PMV65XPEA
20 V, P-channel Trench MOSFET
27 November 2014
Product data sheet
1. General description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23
(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET
technology.
2. Features and benefits
Trench MOSFET technology
Very fast switching
Enhanced power dissipation capability: Ptot = 890 mW
ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM
AEC-Q101 qualified
3. Applications
Relay driver
High speed line driver
High-side loadswitch
Switching circuits
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
VDS drain-source voltage Tj = 25 °C
- - -20 V
VGS gate-source voltage
-12 -
12 V
ID
drain current
VGS = -4.5 V; Tamb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] - - -3.3 A
Static characteristics
RDSon
drain-source on-state VGS = -4.5 V; ID = -2.8 A; Tj = 25 °C
resistance
- 67 78 mΩ
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for
drain 6 cm2.
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PMV65XPEA pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
120
Pder
(%)
80
017aaa123
PMV65XPEA
20 V, P-channel Trench MOSFET
120
Ider
(%)
80
017aaa124
40 40
0
- 75
- 25
25
75 125 175
Tj (°C)
Fig. 1. Normalized total power dissipation as a
function of junction temperature
0
- 75 - 25
25
75 125 175
Tj (°C)
Fig. 2. Normalized continuous drain current as a
function of junction temperature
-102
ID
(A)
-10
Limit RDSon = VDS/ID
aaa-012866
tp = 10 µs
tp = 100 µs
-1
-10-1
DC; Tsp = 25 °C
DC; Tamb = 25 °C;
drain mounting pad 6 cm2
tp = 1 ms
tp = 10 ms
tp = 100 ms
-10-2
-10-1
IDM = single pulse
-1
-10 -102
VDS (V)
Fig. 3. Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of drain-
source voltage
PMV65XPEA
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
27 November 2014
© NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved
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PMV65XPEA 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PMV65XPEA
20 V, P-channel Trench MOSFET
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Static characteristics
V(BR)DSS
drain-source
breakdown voltage
ID = -250 µA; VGS = 0 V; Tj = 25 °C
VGSth
gate-source threshold ID = -250 µA; VDS = VGS; Tj = 25 °C
voltage
IDSS drain leakage current VDS = -20 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C
IGSS gate leakage current VGS = 12 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
VGS = -12 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
VGS = 4.5 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
VGS = -4.5 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C
RDSon
drain-source on-state
resistance
VGS = -4.5 V; ID = -2.8 A; Tj = 25 °C
VGS = -4.5 V; ID = -2.8 A; Tj = 150 °C
VGS = -2.5 V; ID = -2.2 A; Tj = 25 °C
gfs forward
VDS = -10 V; ID = -2 A; Tj = 25 °C
transconductance
RG
gate resistance
f = 1 MHz
Dynamic characteristics
QG(tot)
QGS
total gate charge
gate-source charge
VDS = -10 V; ID = -2.8 A; VGS = -4.5 V;
Tj = 25 °C
QGD gate-drain charge
Ciss
input capacitance
VDS = -10 V; f = 1 MHz; VGS = 0 V;
Coss
output capacitance
Tj = 25 °C
Crss reverse transfer
capacitance
td(on)
tr
turn-on delay time
rise time
VDS = -10 V; ID = -2.8 A; VGS = -4.5 V;
RG(ext) = 6 Ω; Tj = 25 °C
td(off)
turn-off delay time
tf fall time
Source-drain diode
VSD source-drain voltage IS = -0.85 A; VGS = 0 V; Tj = 25 °C
Min Typ Max Unit
-20 - - V
-0.75 -1
-1.25 V
- - -1 µA
- - 10 µA
- - -10 µA
- - 2 µA
- - -2 µA
- 67 78 mΩ
- 98 114 mΩ
- 99 125 mΩ
- 7.4 - S
- 11.6 - Ω
- 5 9 nC
- 1.1 - nC
- 1.1 - nC
- 618 - pF
- 80 - pF
- 58 - pF
- 7 - ns
- 19 - ns
- 36 - ns
- 17 - ns
- -0.75 -1.2 V
PMV65XPEA
Product data sheet
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27 November 2014
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