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IDV30E65D2 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDV30E65D2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IDV30E65D2 자료 제공

부품번호 IDV30E65D2 기능
기능 Diode ( Rectifier )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDV30E65D2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IDV30E65D2 데이터시트, 핀배열, 회로
Diode
RapidSwitchingEmitterControlledDiode
IDV30E65D2
EmitterControlledDiode
Datasheet
IndustrialPowerControl




IDV30E65D2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IDV30E65D2
EmitterControlledDiode
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Repetitivepeakreversevoltage,Tvj25°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
VRRM
IF
IFpuls
650 V
30.0 A
17.5
90.0 A
Diode surge non repetitive forward current
TC=25°C,tp=8.3ms,sinehalfwave
PowerdissipationTC=25°C
Operating junction temperature
Storage temperature
IFSM
Ptot
Tvj
Tstg
180.0
47.0
-40...+175
-55...+150
A
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
Diode thermal resistance,1)
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
3.20 K/W
65 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
StaticCharacteristic
Diode forward voltage
Reverse leakage current
Symbol Conditions
IF=30.0A
VF Tvj=25°C
Tvj=175°C
VR=650V
IR Tvj=25°C
Tvj=175°C
Value
Unit
min. typ. max.
- 1.60 2.20 V
- 1.65 -
- 4.0 40.0 µA
- 800.0 -
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
DynamicCharacteristic
Internal emitter inductance
measured 5mm (0.197 in.) from
case
Symbol Conditions
LE
Value
Unit
min. typ. max.
- 7.0 - nH
1) Please be aware that in non standard load conditions, due to high Rth(j-c), Tvj close to Tvjmax can be reached.
4
Rev.2.1,2014-09-18

4페이지










IDV30E65D2 전자부품, 판매, 대치품
EmitterControlledDiode
IDV30E65D2
0.8
Tj=25°C, IF = 30A
Tj=175°C, IF = 30A
0.7
0.6
0.5
30
Tj=25°C, IF = 30A
Tj=175°C, IF = 30A
25
20
0.4 15
0.3
10
0.2
5
0.1
0.0
0
500 1000 1500 2000 2500 3000
diF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
diF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
Figure 5. Typicalreverserecoverychargeasafunction Figure 6. Typicalpeakreverserecoverycurrentasa
ofdiodecurrentslope
functionofdiodecurrentslope
(VR=400V)
(VR=400V)
0
-500
-1000
-1500
-2000
-2500
-3000
Tj=25°C, IF = 30A
Tj=175°C, IF = 30A
60
Tj=25°C
Tj=175°C
50
40
30
20
10
-3500
0
500 1000 1500 2000 2500 3000
diF/dt,DIODECURRENTSLOPE[A/µs]
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VF,FORWARDVOLTAGE[V]
Figure 7. Typicaldiodepeakrateoffallofreverse
recoverycurrentasafunctionofdiode
currentslope
(VR=400V)
Figure 8. Typicaldiodeforwardcurrentasafunctionof
forwardvoltage
7 Rev.2.1,2014-09-18

7페이지


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