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MPSA44 데이터시트 PDF




NTE에서 제조한 전자 부품 MPSA44은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MPSA44 자료 제공

부품번호 MPSA44 기능
기능 Silicon NPN Transistor
제조업체 NTE
로고 NTE 로고


MPSA44 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MPSA44 데이터시트, 핀배열, 회로
MPSA44
Silicon NPN Transistor
High Voltage
Absolute Maximum Ratings:
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTA.
=
..
255C),
......
.P.D.
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..
625mW
5mW/5C
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTC.
=
..
255C),
......
.P. D.
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. . . . 1.5W
12mW/5C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555 to +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555 to +1505C
Thermal Resistance, JunctiontoCase, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.35C/W
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2005C/W
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
CollectorEmitter Breakdown Voltage
CollectorBase Breakdown Voltage
EmitterBase Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICES
IC = 1.0mA, IB = 0, Note 1
IC = 1003A, VBE = 0
IC = 1003A, IE = 0
IE = 103A, IC = 0
VCB = 400V, IE = 0
VCE = 400V, VBE = 0
DC Current Gain
CollectorEmitter Saturation Voltage
BaseEmitter Saturation Voltage
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE = 10V, IC = 1mA
VCE = 10V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 50mA
VCE = 10V, IC = 100mA
IC = 1mA, IB = 0.1mA
IC = 10mA, IB = 1.0mA
IC = 50mA, IB = 5.0mA
IC = 10mA, IB = 1mA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 3 3003s, Duty Cycle 3 2%.
Min Typ Max Unit
400 − −
500 − −
500 − −
6.0 − −
− − 0.1
− − 500
V
V
V
V
3A
nA
40 − −
50 200
45 − −
40 − −
− − 0.4 V
− − 0.5 V
− − 0.75 V
− − 0.75 V





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