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IPD60R400CE 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IPD60R400CE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IPD60R400CE 자료 제공

부품번호 IPD60R400CE 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IPD60R400CE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPD60R400CE 데이터시트, 핀배열, 회로
IPD60R400CE,IPS60R400CE,IPA60R400CE
MOSFET
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™CEisa
price-performanceoptimizedplatformenablingtotargetcostsensitive
applicationsinConsumerandLightingmarketsbystillmeetinghighest
efficiencystandards.Thenewseriesprovidesallbenefitsofafast
switchingSuperjunctionMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuseand
offeringthebestcostdownperformanceratioavailableonthemarket.
DPAK
tab
2
1
3
Features
•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss
•Veryhighcommutationruggedness
•Easytouse/drive
•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound
•Qualifiedforstandardgradeapplications
Applications
PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages
fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.
Pleasenote:Note1:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadson
thegateorseparatetotempolesisgenerallyrecommended.
Note2:*6R400CEisFullPAKmarkingonly
IPAKSL
tab
PG-TO220FP
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS @ Tj,max
650
V
RDS(on),max
400
m
Id. 14.7 A
Qg.typ
32
nC
ID,pulse
30
A
Eoss@400V
2.8
µJ
Type/OrderingCode
IPD60R400CE
IPS60R400CE
IPA60R400CE
Package
PG-TO 252
PG-TO 251
PG-TO 220 FullPAK
Marking
RelatedLinks
60S400CE / 6R400CE*
see Appendix A
Final Data Sheet
1 Rev.2.2,2016-08-08




IPD60R400CE pdf, 반도체, 판매, 대치품
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPD60R400CE,IPS60R400CE,IPA60R400CE
Table4ThermalcharacteristicsTO-252,TO-251
Parameter
Symbol
Values
Min. Typ. Max.
Thermal resistance, junction - case RthJC
- - 1.12
Thermal resistance, junction - ambient RthJA
- - 62
Thermal resistance, junction - ambient
for SMD version
RthJA
- 35 45
Soldering temperature, wave & reflow
soldering allowed
Tsold
- - 260
Unit Note/TestCondition
°C/W -
°C/W device on PCB, minimal footprint
Device on 40mm*40mm*1.5mm
epoxy PCB FR4 with 6cm² (one
°C/W
layer, 70µm thickness) copper area
for drain connection and cooling.
PCB is vertical without air stream
cooling.
°C reflow MSL3
Final Data Sheet
4 Rev.2.2,2016-08-08

4페이지










IPD60R400CE 전자부품, 판매, 대치품
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPD60R400CE,IPS60R400CE,IPA60R400CE
4Electricalcharacteristicsdiagrams
Diagram1:Powerdissipation(NonFullPAK)
120
Diagram2:Powerdissipation(FullPAK)
35
110
100 30
90
25
80
70 20
60
50 15
40
10
30
20 5
10
0
0
Ptot=f(TC)
25 50 75 100 125 150
TC[°C]
0
0
Ptot=f(TC)
25 50 75 100 125 150
TC[°C]
Diagram3:Max.transientthermalimpedance(NonFullPAK) Diagram4:Max.transientthermalimpedance(FullPAK)
101 101
100
0.5
0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
0.01
single pulse
10-2
10-5
10-4
ZthJC=f(tP);parameter:D=tp/T
10-3
tp[s]
Final Data Sheet
10-2
0.5
100 0.2
0.1
0.05
0.02
10-1
0.01
single pulse
10-1
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
tp[s]
ZthJC=f(tP);parameter:D=tp/T
7 Rev.2.2,2016-08-08

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