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IPA80R650CE 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IPA80R650CE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IPA80R650CE 자료 제공

부품번호 IPA80R650CE 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IPA80R650CE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 15 페이지수

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IPA80R650CE 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™CE
800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket




IPA80R650CE pdf, 반도체, 판매, 대치품
800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current, repetitive
MOSFET dv/dt ruggedness
Gate source voltage (static)
Gate source voltage (dynamic)
Power dissipation
Storage temperature
Operating junction temperature
Mounting torque
Continuous diode forward current
Diode pulse current2)
Reverse diode dv/dt3)
ID
ID,pulse
EAS
EAR
IAR
dv/dt
VGS
VGS
Ptot
Tstg
Tj
-
IS
IS,pulse
dv/dt
Maximum diode commutation speed
Insulation withstand voltage for
TO-220FP
dif/dt
VISO
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-40
-40
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
- 8.0
- 5.1
- 24
- 340
- 0.20
- 1.60
- 50
- 20
- 30
- 33
- 150
- 150
- 50
- 8.0
- 24
-4
- 400
- 2500
Unit Note/TestCondition
A
TC = 25°C
TC = 100°C
A TC=25°C
mJ ID=1.6A; VDD=50V; see table 10
mJ ID=1.6A; VDD=50V; see table 10
A-
V/ns VDS=0...640V
V static;
V AC (f>1 Hz)
W TC=25°C
°C -
°C -
Ncm M2.5 screws
A TC=25°C
A TC=25°C
V/ns
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C
see table 8
A/µs
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C
see table 8
V Vrms,TC=25°C,t=1min
1) Limited by Tj max <150°C.
2) Pulse width tp limited by Tj,max
3)IdenticallowsideandhighsideswitchwithidenticalRG
Final Data Sheet
4
Rev.2.1,2015-06-23

4페이지










IPA80R650CE 전자부품, 판매, 대치품
800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
Table7Reversediodecharacteristics
Parameter
Symbol
Diode forward voltage
Reverse recovery time
VSD
trr
Reverse recovery charge
Qrr
Peak reverse recovery current
Irrm
Min.
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
1-
550 -
7-
24 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,IF=8A,Tj=25°C
ns
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
µC
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
A
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
Final Data Sheet
7 Rev.2.1,2015-06-23

7페이지


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