|
|
|
부품번호 | IPA80R650CE 기능 |
|
|
기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 15 페이지수
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™CE
800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket
800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current, repetitive
MOSFET dv/dt ruggedness
Gate source voltage (static)
Gate source voltage (dynamic)
Power dissipation
Storage temperature
Operating junction temperature
Mounting torque
Continuous diode forward current
Diode pulse current2)
Reverse diode dv/dt3)
ID
ID,pulse
EAS
EAR
IAR
dv/dt
VGS
VGS
Ptot
Tstg
Tj
-
IS
IS,pulse
dv/dt
Maximum diode commutation speed
Insulation withstand voltage for
TO-220FP
dif/dt
VISO
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-40
-40
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
- 8.0
- 5.1
- 24
- 340
- 0.20
- 1.60
- 50
- 20
- 30
- 33
- 150
- 150
- 50
- 8.0
- 24
-4
- 400
- 2500
Unit Note/TestCondition
A
TC = 25°C
TC = 100°C
A TC=25°C
mJ ID=1.6A; VDD=50V; see table 10
mJ ID=1.6A; VDD=50V; see table 10
A-
V/ns VDS=0...640V
V static;
V AC (f>1 Hz)
W TC=25°C
°C -
°C -
Ncm M2.5 screws
A TC=25°C
A TC=25°C
V/ns
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C
see table 8
A/µs
VDS=0...400V,ISD<=IS,Tj=25°C
see table 8
V Vrms,TC=25°C,t=1min
1) Limited by Tj max <150°C.
2) Pulse width tp limited by Tj,max
3)IdenticallowsideandhighsideswitchwithidenticalRG
Final Data Sheet
4
Rev.2.1,2015-06-23
4페이지 800VCoolMOS™CEPowerTransistor
IPA80R650CE
Table7Reversediodecharacteristics
Parameter
Symbol
Diode forward voltage
Reverse recovery time
VSD
trr
Reverse recovery charge
Qrr
Peak reverse recovery current
Irrm
Min.
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
1-
550 -
7-
24 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,IF=8A,Tj=25°C
ns
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
µC
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
A
VR=400V,IF=8A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
Final Data Sheet
7 Rev.2.1,2015-06-23
7페이지 | |||
구 성 | 총 15 페이지수 | ||
다운로드 | [ IPA80R650CE.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IPA80R650CE | MOSFET ( Transistor ) | Infineon Technologies |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |