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CHA2110-98F 데이터시트 PDF




United Monolithic Semiconductors에서 제조한 전자 부품 CHA2110-98F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CHA2110-98F 자료 제공

부품번호 CHA2110-98F 기능
기능 7-12GHz LNA
제조업체 United Monolithic Semiconductors
로고 United Monolithic Semiconductors 로고


CHA2110-98F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CHA2110-98F 데이터시트, 핀배열, 회로
CHA2110-98F
7-12GHz LNA
GaAs Monolithic Microwave IC
Description
The CHA2110-98F is a monolithic two-stages
wide band low noise amplifier circuit. It is
self-biased.
It is designed for military, space and
telecommunication systems.
VD1 VD2
The circuit is manufactured with a pHEMT
process, 0.25µm gate length, via holes
through the substrate, and air bridges.
IN
It is available in chip form.
OUT
Main Features
Broadband performances: 7-12GHz
Linear gain: 19dB
Return Losses: 12dB
Noise Figure: 1.2dB
Output power @ 1dBcomp: 11dBm
DC bias: Vd=4 Volt@Id=45mA
Chip size 1.93x1.3x0.1mm
25 5.0
24 4.5
23 4.0
22 3.5
21
20 S21
3.0
2.5
19 2.0
18 1.5
17 NF 1.0
16 0.5
15 0.0
7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
Frequency (GHz)
Gain and NF versus frequency
Main Electrical Characteristics
Tamb.= +25°C
Symbol
Parameter
Freq Frequency range
Gain Linear Gain
NF Noise Figure
Pout Output Power @1dB comp (f=10GHz)
Min Typ Max Unit
7 12 GHz
19 dB
1.2 dB
11 dBm
Ref. : DSCHA21102181 - 29 Jun 12
1/10 Specifications subject to change without notice
United Monolithic Semiconductors S.A.S.
Bat. Charmille - Parc SILIC - 10, Avenue du Québec - 91140 VILLEBON-SUR-YVETTE - France
Tel.: +33 (0) 1 69 86 32 00 - Fax: +33 (0) 1 69 86 34 34




CHA2110-98F pdf, 반도체, 판매, 대치품
CHA2110-98F
7-12GHz LNA
Test fixture Measurements
T=[-40°C ; +25°C ; +85°C], Vd = +4V, Id = 45mA
Noise Figure versus frequency
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
+85°C
1.5
1.0 +25°C
0.5 -40°C
0.0
7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
Frequency (GHz)
P1dB versus frequency
+85°C
-40°C
+25°C
Ref. : DSCHA21102181 - 29 Jun 12
4/10 Specifications subject to change without notice
Bat. Charmille - Parc SILIC - 10, Avenue du Québec - 91140 VILLEBON-SUR-YVETTE - France
Tel.: +33 (0) 1 69 86 32 00 - Fax: +33 (0) 1 69 86 34 34

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CHA2110-98F 전자부품, 판매, 대치품
7-12GHz LNA
Recommended assembly plan
VD1
10nF
100pF
CHA2110-98F
VD2
10nF
100pF
Note: Supply feed should be bypassed. 25µm diameter gold wire is to be preferred.
Recommended circuit bonding table
Label
E
Vd1, Vd2
S
Type
Input RF
Vd
Output RF
Decoupling
N/A
100pF & 10nF
N/A
Comment
Inductance (Lbonding≈750µm) = 0.6nH,
1 gold wire with diameter of 25µm
Drain Supply
Inductance 1nH
Inductance (Lbonding≈500µm) = 0.4nH,
1 gold wire with diameter of 25µm
Ref. : DSCHA21102181 - 29 Jun 12
7/10 Specifications subject to change without notice
Bat. Charmille - Parc SILIC - 10, Avenue du Québec - 91140 VILLEBON-SUR-YVETTE - France
Tel.: +33 (0) 1 69 86 32 00 - Fax: +33 (0) 1 69 86 34 34

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