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1N1126AR 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 1N1126AR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1N1126AR 자료 제공

부품번호 1N1126AR 기능
기능 Silicon Standard Recovery Diode
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


1N1126AR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1N1126AR 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 600 V VRRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
1N1199A thru 1N1206AR
VRRM = 50 V - 600 V
IF = 12 A
DO-4 Package
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R) Unit
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
VRRM
VRMS
VDC
IF
TC 150 °C
50 100 200
35 70 140
50 100 200
12 12 12
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms
240
240
240
400 600 V
280 420 V
400 600 V
12 12 A
240 240 A
Operating temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
-55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150
-55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
1N1199A(R) 1N1200A(R) 1N1202A(R) 1N1204A(R) 1N1206A(R) Unit
Diode forward voltage
Reverse current
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
VF
IR
RthJC
IF = 12 A, Tj = 25 °C
VR = 50 V, Tj = 25 °C
VR = 50 V, Tj = 175 °C
1.1
10
15
2.00
1.1
10
15
2.00
1.1
10
15
2.00
1.1 1.1 V
10 10 μA
15 15 mA
2.00 2.00 °C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1





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