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부품번호 | 1N3209 기능 |
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기능 | Silicon Standard Recovery Diode | ||
제조업체 | GeneSiC | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 300 V VRRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
1N3208 thru 1N3211R
VRRM = 50 V - 300 V
IF = 15 A
DO-5 Package
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
1N3208 (R) 1N3209 (R) 1N3210 (R) 1N3211 (R)
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VDC
IF
IF,SM
Tj
Tstg
TC ≤ 150 °C
TC = 25 °C, tp = 8.3 ms
50 100 200
35 70 140
50 100 200
15 15 15
297 297 297
-55 to 150 -55 to 150 -55 to 150
-55 to 150 -55 to 150 -55 to 150
300
210
300
15
297
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
1N3208 (R) 1N3209 (R) 1N3210 (R) 1N3211 (R) Unit
Diode forward voltage
VF IF = 15 A, Tj = 25 °C 1.5 1.5 1.5 1.5 V
Reverse current
IR
VR = 50 V, Tj = 25 °C
VR = 50 V, Tj = 150 °C
10
10
10
10
10
10
10 μA
10 mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
RthJC
0.65 0.65 0.65 0.65 °C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1N320 | Diode 300V 275A 2-Pin DO-9 | New Jersey Semiconductor |
1N3206 | (1N3xxx) PELLET DIODES | Microsemi Corporation |
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