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FR16J02 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 FR16J02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FR16J02 자료 제공

부품번호 FR16J02 기능
기능 Silicon Fast Recovery Diode
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


FR16J02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FR16J02 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 100 V to 600 V VRRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
FR16B02 thru FR16JR02
VRRM = 100 V - 600 V
IF = 16 A
DO-4 Package
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Symbol
Conditions
FR16B(R)02 FR16D(R)02 FR16G(R)02
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
VRRM
VRMS
VDC
100 200 400
70 140 280
100 200 400
Continuous forward current
IF
TC 100 °C
16
16
16
FR16J(R)02 Unit
600 V
420 V
600 V
16 A
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms
Tj
Tstg
225
-55 to 150
-55 to 150
225
-55 to 150
-55 to 150
225
-55 to 150
-55 to 150
225
-55 to 150
-55 to 150
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
FR16B(R)02 FR16D(R)02
Diode forward voltage
Reverse current
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
VF IF = 16 A, Tj = 25 °C
IR
VR = 100 V, Tj = 25 °C
VR = 100 V, Tj = 150 °C
TRR
IF=0.5 A, IR=1.0 A,
IRR= 0.25 A
RthJC
0.9
25
6
200
1.5
0.9
25
6
200
1.5
FR16G(R)02
0.9
25
6
200
1.5
FR16J(R)02
0.9
25
6
Unit
V
μA
mA
250 nS
1.5 °C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/fast-recovery-rectifiers/
1





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