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3LN01C 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 3LN01C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3LN01C 자료 제공

부품번호 3LN01C 기능
기능 N-Channel Small Signal MOSFET
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


3LN01C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

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3LN01C 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number : EN6260C
3LN01C
N-Channel Small Signal MOSFET
30V, 0.15A, 3.7Ω, Single CP
http://onsemi.com
Features
Low ON-resistance
Ultrahigh-speed switching
2.5V drive
Specications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
PW10μs, duty cycle1%
Storage Temperature
Tstg
This product is designed to “ESD immunity < 200V*”, so please take care when handling.
* Machine Model
Ratings
30
±10
0.15
0.6
0.25
150
--55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7013A-013
2.9 0.1 3LN01C-TB-E
3 3LN01C-TB-H
Ordering & Package Information
Device
Package
Shipping
3LN01C-TB-E
CP
SC-59, TO-236,
SOT-23, TO-236AB
3,000
pcs./reel
3LN01C-TB-H
CP
SC-59, TO-236,
SOT-23, TO-236AB
3,000
pcs./reel
memo
Pb-Free
Pb-Free
and
Halogen Free
1
0.95
2
0.4
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
CP
Packing Type: TB
TB
Marking
YA
Electrical Connection
3
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
June, 2013
61213 TKIM TC-00002936/62712 TKIM/33006PE MSIM TB-00002198/21400 TS(KOTO) TA-1987 No.6260-1/6




3LN01C pdf, 반도체, 판매, 대치품
3LN01C
IS -- VSD
1.0
7 VGS=0V
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.5
100
7
5
3
2
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT00037
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
10
Ciss
7
5 Coss
3
2 Crss
1.0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Drain to Source Voltage, VDS -- V IT00039
PD -- Ta
0.30
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
tf
SW Time -- ID
VDD=15V
VGS=4V
td(off)
tr
td(on)
10
0.01
2
10
VDS=10V
9 ID=150mA
8
3 5 7 0.1
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
2
IT00038
7
6
5
4
3
2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT00041
No.6260-4/6

4페이지












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