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부품번호 | BSZ15DC02KDH 기능 |
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기능 | Small Signal Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 13 페이지수
OptiMOS™2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transistor
Features
Product Summary
· Complementary P + N channel
· Enhancement mode
· Super Logic level (2.5V rated)
· Common drain
· Avalanche rated
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=±4.5 V
VGS=±2.5 V
· 175 °C operating temperature
· Qualified according to AEC Q101
· 100% lead-free; RoHS compliant
· Halogen-free according to IEC61246-21
BSZ15DC02KD H
PN
-20 20 V
150 55 mW
310 95
-3.2 5.1 A
Type
BSZ15DC02KD H
Package
PG-TSDSON-8
Marking
15DC02KD
Lead Free
Yes
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 1)
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
ID
I D,pulse
E AS
V GS
P tot 2)
T A=25 °C
T A=100 °C
T A=25 °C
P: I D=-3.2 A,
N: I D=5.1 A,
R GS=25 W
T A=25 °C
Halogen Free
Yes
Packing
Non dry
Value
PN
-3.2 5.1
-2.2 3.6
-13 20
11 11
±12
2.5
Unit
A
mJ
V
W
Operating and storage temperature T j, T stg
-55 ... 175
°C
ESD class
Soldering temperature
T solder
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1) Remark: only one of both transistors active
JESD22-A114-HBM
0 (<250V)
260
55/175/56
°C
Rev 2.2
page 1
2014-08-28
Parameter
Symbol Conditions
Reverse Diode
Diode continuous forward current P I S
N
Diode pulse current
P I S,pulse
N
T C=25 °C
Diode forward voltage
P V SD
V GS=0 V, I F=3.2 A,
T j=25 °C
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
N
P t rr
N
P Q rr
N
V GS=0 V, I F=5.1 A,
T j=25 °C
V R=±10 V, I F=I S,
di F/dt =100 A/µs
BSZ15DC02KD H
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - -2.1 A
2.3
- - -13
20
- -0.98 -1.2 V
- 0.9 1.2
12.2 ns
- 10.9 -
4.6 nC
- 3.4 -
Rev 2.2
page 4
2014-08-28
4페이지 9 Typ. output characteristics (P)
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
20
10 V
18 4.5 V
16
14
3.3 V
BSZ15DC02KD H
10 Typ. output characteristics (N)
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
20
10 V 4.5 V
18 3.5 V
16
3V
14
12 12
3V
10 10
8 8 2.5 V
6
2.5 V
6
2.3 V
4
2.3 V
4
2 2V 2 2V
1.8 V
1.8 V
00
0 1 2 30 1 2 3
VDS [V]
VDS [V]
11 Typ. drain-source on resistance (P)
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
12 Typ. drain-source on resistance (N)
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
280 120
2V
240
200
160
120
80
2.2 V
2.5 V
3V
3.3 V
4.5 V
6V
100
2.2 V
80
2.5 V
60
40
3V
3.5 V
4.5 V
6V
20
40
0
0
Rev 2.2
246
ID [A]
0
80
page 7
246
ID [A]
8
2014-08-28
7페이지 | |||
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BSZ15DC02KDH | Small Signal Transistor | Infineon |
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