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부품번호 | IGC168T170S8RH 기능 |
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기능 | IGBT3 Power Chip | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 5 페이지수
IGC168T170S8RH
IGBT3 Power Chip
Features:
1700V Trench + Field stop technology
low switching losses and saturation losses
soft turn off
positive temperature coefficient
easy paralleling
This chip is used for:
power modules
Applications:
drives
Chip Type
VCE
IC
Die Size
IGC168T170S8RH 1700V 150A 13.38 x 12.58 mm2
C
G
E
Package
sawn on foil
Mechanical Parameters
Raster size
Emitter pad size (incl. gate pad)
Gate pad size
Area total
Thickness
Wafer size
Max.possible chips per wafer
Passivation frontside
Pad metal
Backside metal
13.38 x 12.58
11.159 x 10.353
1.674 x 0.899
mm2
168.3
190 µm
200 mm
142
Photoimide
3200 nm AlSiCu
Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
Electrically conductive glue or solder
Wire bond
Reject ink dot size
for original and
sealed MBB bags
Storage environment
for open MBB bags
Al, <500µm
0.65mm ; max 1.2mm
Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,
< 6 month
Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,
Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month
Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7793N, L7793U, L7793F, Rev 0.9, 27.06.2014
Chip Drawing
IGC168T170S8RH
E
E
GT
E
E
E
E
E
E
E
E = Emitter
G = Gate
T = Test pad do not contact
Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7793N, L7793U, L7793F, Rev 0.9, 27.06.2014
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IGC168T170S8RH | IGBT3 Power Chip | Infineon |
IGC168T170S8RM | IGBT3 Power Chip | Infineon |
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